[发明专利]集成电路封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201980000233.2 申请日: 2019-01-22
公开(公告)号: CN109863596B 公开(公告)日: 2020-05-26
发明(设计)人: 陈鹏;周厚德;张保华;顾超 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 林锦辉
地址: 430074 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种集成电路(IC)封装结构,包括:

封装衬底;

一个或多个管芯,所述一个或多个管芯设置在所述封装衬底上;

包封材料,所述包封材料设置在所述封装衬底上,并被配置为将所述一个或多个管芯包封在所述封装衬底上;

至少一个沟槽,所述至少一个沟槽设置在所述包封材料中;以及

散热结构,其中,所述散热结构的至少一部分设置在所述至少一个沟槽中并且与所述一个或多个管芯隔离,所述散热结构的所述至少一部分是通过在所述至少一个沟槽中形成浆料并对所述浆料执行固化过程形成的。

2.根据权利要求1所述的IC封装结构,其中,所述散热结构的传热系数高于所述包封材料的传热系数。

3.根据权利要求1所述的IC封装结构,其中,所述包封材料将所述散热结构与所述一个或多个管芯隔离。

4.根据权利要求1所述的IC封装结构,其中,所述散热结构包括:

设置在所述至少一个沟槽中的第一部分;以及

设置在所述包封材料的表面上的第二部分。

5.根据权利要求4所述的IC封装结构,其中,所述第一部分与所述第二部分直接连接。

6.根据权利要求4所述的IC封装结构,其中,所述第二部分的材料成分与所述第一部分的材料成分相同。

7.根据权利要求4所述的IC封装结构,其中,所述第二部分的材料成分与所述第一部分的材料成分不同。

8.根据权利要求7所述的IC封装结构,其中,所述第一部分包括第一金属颗粒,所述第二部分包括第二金属颗粒,并且每个所述第二金属颗粒的尺寸大于每个所述第一金属颗粒的尺寸。

9.根据权利要求1所述的IC封装结构,其中,所述包封材料包括环氧模塑料(EMC)。

10.一种集成电路(IC)封装结构的制造方法,包括:

将一个或多个管芯设置在封装衬底上;

在所述封装衬底上形成包封材料,其中,所述包封材料被配置为将所述一个或多个管芯包封在所述封装衬底上;

在所述包封材料中形成至少一个沟槽,所述至少一个沟槽与所述一个或多个管芯隔离;以及

在所述包封材料上形成散热结构,其中,在所述至少一个沟槽中形成所述散热结构的至少一部分。

11.根据权利要求10所述的IC封装结构的制造方法,其中,形成所述散热结构的步骤包括:

在所述至少一个沟槽中形成第一浆料;以及

对所述第一浆料执行第一固化过程,以形成所述散热结构的第一部分。

12.根据权利要求11所述的IC封装结构的制造方法,其中,形成所述散热结构的步骤还包括:

在所述至少一个沟槽中形成所述第一浆料之后在所述包封材料的表面上形成第二浆料。

13.根据权利要求12所述的IC封装结构的制造方法,其中,形成所述散热结构的步骤还包括:

对所述第二浆料执行第二固化过程,以在所述包封材料的所述表面上形成所述散热结构的第二部分,其中,在所述第一固化过程之后形成所述第二浆料。

14.根据权利要求12所述的IC封装结构的制造方法,其中,在所述第一固化过程之前形成所述第二浆料,并且所述第二浆料通过所述第一固化过程在所述包封材料的所述表面上固化成所述散热结构的第二部分。

15.根据权利要求12所述的IC封装结构的制造方法,其中,所述第二浆料的材料成分与所述第一浆料的材料成分相同。

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