[发明专利]使用虚设键合触点的混合键合

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：

第一互连层，所述第一互连层包括多个第一互连；以及

第一键合层，所述第一键合层包括多个第一键合触点，每个所述第一互连与所述第一键合触点中的相应一个接触；

第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：

第二互连层，所述第二互连层包括多个第二互连；以及

第二键合层，所述第二键合层包括多个第二键合触点，所述第二键合触点中的至少一个与所述第二互连中的相应一个接触，并且所述第二键合触点中的至少另一个与所述第二互连分隔开；以及

位于所述第一键合层与所述第二键合层之间的键合界面，

其中，每个所述第一键合触点在所述键合界面处与所述第二键合触点中的一个接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一键合触点的数量与所述第一互连的数量相同。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一键合触点的数量小于所述第二键合触点的数量。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其中，每个所述第一键合触点具有标称相同的临界尺寸。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一键合触点和所述第二键合触点包括在所述键合界面处彼此接触的一对键合触点，该对键合触点电连接相应的一对第一互连和第二互连。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一键合触点和所述第二键合触点包括在所述键合界面处彼此接触的一对虚设键合触点，该对虚设键合触点电连接到相应的第一互连但不电连接到第二互连。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体器件，其中，所述第二键合触点中的至少一个在所述键合界面处与所述第一键合触点分隔开。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体器件，其中，所述第二键合触点中的至少一个包括具有第一临界尺寸的第一部分和具有不同于所述第一临界尺寸的第二临界尺寸的第二部分。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一键合层还包括第一电介质，并且所述第二键合层还包括在所述键合界面处与所述第一电介质接触的第二电介质。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中的一个还包括具有NAND存储串的器件层，并且所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中的另一个还包括具有外围器件的器件层。

11.一种键合结构，包括：

键合界面；

在所述键合界面处彼此接触的一对功能键合触点，其中，该对功能键合触点分别与所述键合界面的相对侧上的一对互连接触；以及

在所述键合界面处彼此接触的一对虚设键合触点，其中，该对虚设键合触点与所述键合界面的一侧上的互连接触，并且与所述键合界面的相对侧上的任何互连分隔开。

12.根据权利要求11所述的键合结构，还包括在所述键合界面处彼此接触的一对电介质。

13.根据权利要求11或12所述的键合结构，还包括位于所述键合界面处并且与所述键合界面的任一侧上的任何互连分隔开的另一虚设键合触点。