[发明专利]使用混合键合的结构和器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：

第一互连层，所述第一互连层包括多个第一互连，所述第一互连中的至少一个是至少一个第一虚设互连；以及

第一键合层，所述第一键合层包括多个第一键合触点，每个所述第一互连与所述第一键合触点中的相应一个接触；

第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：

第二互连层，所述第二互连层包括多个第二互连，所述第二互连中的至少一个是至少一个第二虚设互连；以及

第二键合层，所述第二键合层包括多个第二键合触点，每个所述第二互连与所述第二键合触点中的相应一个接触；以及

位于所述第一键合层与所述第二键合层之间的键合界面，

其中，每个所述第一键合触点在所述键合界面处与所述第二键合触点中的相应一个接触，并且

其中，所述第一虚设互连的数量与所述第二虚设互连的数量相同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一键合触点的数量与所述第一互连的数量相同，并且所述第二键合触点的数量与所述第二互连的数量相同。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，每个所述第一键合触点具有标称相同的第一临界尺寸，并且每个所述第二键合触点具有标称相同的第二临界尺寸。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一键合触点和所述第二键合触点包括在所述键合界面处彼此接触的一对虚设键合触点，该对虚设键合触点电连接相应的一对第一虚设互连和第二虚设互连。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一键合层还包括第一电介质，并且所述第二键合层还包括在所述键合界面处与所述第一电介质接触的第二电介质。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一键合触点标称上均匀地设置在所述键合界面处，并且所述第二键合触点标称上均匀地设置在所述键合界面处。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中的一个还包括具有NAND存储串的器件层，并且所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中的另一个还包括具有外围器件的器件层。

8.一种键合结构，包括：

键合界面；

在所述键合界面处彼此接触的一对功能键合触点，其中，该对功能键合触点分别与所述键合界面的相对侧上的一对功能互连接触；以及

在所述键合界面处彼此接触的一对虚设键合触点，其中，该对虚设键合触点分别与所述键合界面的相对侧上的一对虚设互连接触，

其中，位于所述键合界面的相对侧上的虚设互连的数量相同。

9.根据权利要求8所述的键合结构，还包括在所述键合界面处彼此接触的一对电介质。

10.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在第一衬底上方形成包括多个第一互连的第一互连层，其中，所述第一互连中的至少一个是至少一个第一虚设互连；

在所述第一互连层上方形成包括多个第一键合触点的第一键合层，使得每个所述第一互连与所述第一键合触点中的相应一个接触；

在第二衬底上方形成包括多个第二互连的第二互连层，其中，所述第二互连中的至少一个是至少一个第二虚设互连；

在所述第二互连层上方形成包括多个第二键合触点的第二键合层，使得每个所述第二互连与所述第二键合触点中的相应一个接触；以及

以面对面的方式键合所述第一衬底和所述第二衬底，使得每个所述第一键合触点在所述键合界面处与所述第二键合触点中的相应一个接触，

其中，所述第一虚设互连的数量与所述第二虚设互连的数量相同。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第一键合层包括通过单个图案化过程来形成所述第一键合触点。