[发明专利]用于在半导体制造中定位图案的标记

说明书

公开了半导体制造方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成标记的方法，所述标记用于在半导体制造中定位图案。将晶片划分成多个画面。所述多个画面中的每一个画面包括半导体芯片管芯。随后在所述多个画面中的四个相邻画面的四个角处分别图案化锁定角标记的四个四分之一。所述锁定角标记的每一个四分之一与所述锁定角标记的相邻四分之一对称并且与所述锁定角标记的所述相邻四分之一分开标称上相同的距离。将所述锁定角标记设定为用于在半导体制造中定位所述四个相邻画面中的至少一个画面中的图案的原点。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体制造方法。

背景技术

在半导体制造中，需要在光刻曝光之后执行各种类型的测量，包括使用关键尺寸(critical dimension)扫描电子显微镜(CD-SEM)测量晶片画面(shot)中的图案的关键尺寸和使用重叠计量系统测量不同层之间的重叠偏移。因此，在每一个画面中的特定位置处具有可区分的图案的标记变得必需，以定义画面的坐标系。在光刻曝光和显影之后，可以将标记图案化于晶片上并将其用作原点以建立用于每一个画面的坐标系以用于后续测量，诸如关键尺寸测量和重叠偏移测量。

发明内容

于此公开了半导体制造方法的实施例。

在一个示例中，公开了一种用于形成标记的方法，所述标记用于在半导体制造中定位图案。将晶片划分成多个画面。所述多个画面中的每一个画面包括半导体芯片管芯。随后在所述多个画面中的四个相邻画面的四个角处分别图案化锁定角标记的四个四分之一。所述锁定角标记的每一个四分之一与所述锁定角标记的相邻四分之一对称并且与所述锁定角标记的所述相邻四分之一分开标称上相同的距离。将所述锁定角标记设定为用于在半导体制造中在所述四个相邻画面中的至少一个画面中定位图案的原点。

在另一示例中，公开了一种用于在半导体制造中形成锁定角标记的方法。在晶片的第一画面的第一角处图案化所述锁定角标记的第一四分之一。在图案化所述锁定角标记的所述第一四分之一之后，在所述晶片的第二画面的第二角处图案化所述锁定角标记的第二四分之一。所述第二角与所述第一角相邻。所述锁定角标记的所述第一四分之一和所述第二四分之一是对称的并且是分开的。所述锁定角标记的所述第一四分之一和所述第二四分之一中的每一个包括重复图案的阵列。

在另一示例中，公开了一种用于形成标记的方法，所述标记用于在半导体制造中定位图案。将晶片划分成多个画面。随后在所述多个画面中的四个相邻画面的四个角处分别图案化锁定角标记的四个四分之一。所述锁定角标记的每一个四分之一具有“L”形状并且仅由一个光刻工艺曝光。将所述锁定角标记设定为用于在半导体制造中在所述四个相邻画面中的至少一个画面中定位图案的原点。

附图说明

在此并入并形成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起，进一步用于解释本公开的原理并使得本领域技术人员能够实现和使用本公开。

图1示出了晶片的均具有用于在半导体制造中定位图案的标记的四个相邻画面的平面视图。

图2示出了根据本公开的一些实施例的具有用于在半导体制造中定位图案的四个四分之一标记的晶片的示例性画面的平面视图。

图3示出了根据本公开的一些实施例的均具有用于在半导体制造中定位图案的四个示例性四分之一标记的四个相邻画面的平面视图。

图4A示出了根据本公开的一些实施例的单元区域中的锁定角标记的示例性四分之一的平面视图。

图4B示出了根据本公开的一些实施例的由四个相邻画面中的锁定角标记的四个四分之一形成的示例性锁定角标记的平面视图。

图5示出了根据本公开的一些实施例的包括重复图案的阵列的锁定角标记的示例性四分之一的平面视图。