[发明专利]阵列基板、其制备方法及显示装置有效
申请号: | 201980000521.8 | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN109964316B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 王玲;林奕呈;闫光 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K59/121 | 分类号: | H10K59/121;H10K59/60;H10K71/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
本公开实施例公开了阵列基板、其制备方法及显示装置,其中,阵列基板包括:衬底基板,多个像素单元,位于衬底基板上,各像素单元包括多个子像素;各子像素包括:电致发光器件,像素电路,包括驱动电致发光器件发光的驱动晶体管;其中,驱动晶体管为低温多晶硅晶体管;发光检测电路,包括检测开关晶体管和PIN型光电二极管;其中,检测开关晶体管为金属氧化物晶体管。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及阵列基板、其制备方法及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器是当今显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)相比,OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。在手机、平板电脑、数码相机等显示领域,OLED显示器已经得到了广泛的应用。
发明内容
本公开实施例提供的阵列基板,包括:
衬底基板;
多个像素单元,位于所述衬底基板上,各所述像素单元包括多个子像素;各所述子像素包括:
电致发光器件;
像素电路,包括驱动所述电致发光器件发光的驱动晶体管;其中,所述驱动晶体管为低温多晶硅晶体管;
发光检测电路,包括检测开关晶体管和PIN型光电二极管;其中,所述检测开关晶体管为金属氧化物晶体管。
可选地,在本公开实施例中,所述驱动晶体管的第一极与第一电源端耦接,所述驱动晶体管的第二极与所述电致发光器件的第一端耦接;
所述像素电路还包括:数据开关晶体管与补偿开关晶体管;
所述数据开关晶体管的栅极与第一扫描信号端耦接,所述数据开关晶体管的第一极与数据信号端耦接,所述数据开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接;
所述补偿开关晶体管的栅极与第二扫描信号端耦接,所述补偿开关晶体管的第一极与预设信号端耦接,所述补偿开关晶体管的第二极与所述电致发光器件的第一端耦接。
可选地,在本公开实施例中,所述数据开关晶体管为低温多晶硅晶体管或金属氧化物晶体管。
可选地,在本公开实施例中,所述补偿开关晶体管为低温多晶硅晶体管或金属氧化物晶体管。
可选地,在本公开实施例中,所述驱动晶体管为N型晶体管,所述像素电路还包括:存储电容;
所述存储电容耦接于所述驱动晶体管的栅极与第二极之间。
可选地,在本公开实施例中,所述数据开关晶体管和所述补偿开关晶体管均为N型晶体管。
可选地,在本公开实施例中,所述驱动晶体管为P型晶体管,所述像素电路还包括:存储电容;
所述存储电容耦接于所述驱动晶体管的栅极与第一极之间。
可选地,在本公开实施例中,所述数据开关晶体管和所述补偿开关晶体管均为P型晶体管。
可选地,在本公开实施例中,所述发光检测电路还包括:检测电容;
所述检测开关晶体管的栅极与第三扫描信号端耦接,所述检测开关晶体管的第一极与所述PIN型光电二极管的第二电极耦接,所述检测开关晶体管的第二极与光学检测信号端耦接;
所述PIN型光电二极管的第一电极与参考电压端耦接;
所述检测电容耦接于所述PIN型光电二极管的第一电极与第二电极之间。
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