[发明专利]显示面板及其制造方法和显示装置有效
申请号: | 201980000638.6 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN110291642B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 许名宏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种形成OLED显示面板的方法,包括:
提供基板;
在所述基板上形成像素界定层,所述像素界定层在所述基板上限定多个像素区域;以及
在所述像素界定层上形成隔热层;
其中,所述隔热层的导热率为0.01W/mk至0.5W/mK;
所述在所述像素界定层上形成隔热层,包括:
在所述像素界定层上涂覆多孔隔热材料的层以形成多孔隔热层;
所述在所述像素界定层上涂覆多孔隔热材料的层以形成多孔隔热层,包括:
在所述像素界定层上沉积掺杂有碳元素的有机树脂层;以及
用UV光照射所述有机树脂层,
其中,所述有机树脂层中的碳元素被所述UV光与氧气相互作用产生的臭氧氧化以形成二氧化碳,从而形成多孔隔热层。
2.根据权利要求1所述的形成OLED显示面板的方法,还包括:
在所述隔热层上形成修饰层;
在所述修饰层上形成主电极;以及
在所述主电极上形成辅助电极。
3.根据权利要求2所述的形成OLED显示面板的方法,其中,在所述主电极上形成辅助电极包括:
在所述主电极上形成由金属溶液构成的栅格;
在第一温度下执行对由金属溶液组成的栅格的第一次固化,以形成第一金属栅格;以及
通过向所述第一金属栅格施加低频交流电,在第二温度下执行对所述第一金属栅格的第二次固化,同时在第二次固化期间将所述基板保持在比所述第二温度低的第三温度以形成所述辅助电极;
所述低频交流电的频率范围为50Hz至60Hz。
4.根据权利要求3所述的形成OLED显示面板的方法,其中,在所述第二次固化期间,分别在第一方向和第二方向上将所述低频交流电施加到所述第一金属栅格,所述第一方向不同于所述第二方向。
5.根据权利要求3所述的形成OLED显示面板的方法,其中,所述第二温度在90℃至170℃的范围内,并且所述第一温度在80℃至100℃的范围内。
6.根据权利要求3所述的形成OLED显示面板的方法,其中,所述金属溶液包括选自由以下物质构成的组中的一种或多种:银颗粒、硝酸银、金颗粒、铜颗粒,或者含有铟、锡、锑和/或锌的合金颗粒。
7.根据权利要求2所述的形成OLED显示面板的方法,其中,所述辅助电极的方阻小于1Ω/□。
8.根据权利要求1所述的形成OLED显示面板的方法,其中,所述隔热层的孔隙率在5%至15%的范围内。
9.根据权利要求1所述的形成OLED显示面板的方法,其中,所述隔热层包含选自由以下物质组成的组中的一种或多种:超交联多孔有机聚合物;包含具有氯甲基基团的芳族重复单元的聚合物;包含具有苄醇基团的重复单元的聚合物;由多孔三乙酸纤维素及其衍生物、聚醚酰亚胺和聚酰亚胺组成的组。
10.根据权利要求1所述的形成OLED显示面板的方法,其中,所述像素界定层和所述隔热层由相同的材料制成。
11.根据权利要求1所述的形成OLED显示面板的方法,其中,所述隔热层的厚度在0.2μm至10μm的范围内。
12.根据权利要求2所述的形成OLED显示面板的方法,其中,所述辅助电极具有栅格结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980000638.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:存储器裸片区域的高效利用
- 下一篇:半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的