[发明专利]电子设备和管理闪存的读取电平的方法

说明书

提供了一种包括闪存和闪存控制器的电子设备。闪存控制器耦合到闪存，并用于管理对闪存的数据存取。闪存控制器包括定时器、存储器和耦合到定时器和存储器的微控制器。定时器用于产生时钟中断。存储器用于在预定时间段内保持被编程到闪存中的数据的条目列表。在每个时钟中断时，微控制器用于写入被编程到闪存中的数据的条目以更新条目列表。

技术领域

本发明涉及半导体存储器，并且具体涉及管理闪存的读取电平的电子设备和方法。

背景技术

闪存被广泛用于移动设备和消费电子产品中的非易失性数据存储。闪存通过将存储器单元编程到不同的阈值电压电平来将数据存储在存储器单元的阵列中。在单级单元(SLC，single level cell)闪存中，存储器单元具有两个可能的标称阈值电压电平，并且在2位多级单元(MLC，multi-level cell)闪存中，存储器单元具有四个可能的标称阈值电压电平。闪存可以采用对应于不同阈值电压电平的若干读取电平来从存储器单元读取数据。

闪存可以通过浮栅技术或电荷捕获技术来实现。浮栅闪存可以将电荷存储在隔离的多晶硅导电层中，并且电荷捕获闪存可以将电荷保持俘获在非导电氮化硅绝缘层中。在过去几年中，由于降低了制造成本并提高了写入耐久性，电荷俘获闪存已经越过浮栅闪存得到普及。然而，电荷俘获闪存存在快速的初始电荷损失问题，其中浅捕获电荷在编程后几秒内从闪存单元中逸出，导致电荷随时间泄漏。因此，使用默认读取电平可能无法准确读取闪存单元中的数据，导致渐进的保持损失和读取性能的逐渐降低。

因此，需要一种具有可靠读取性能和简单电路结构的闪存器件。

发明内容

在本发明的一个实施例中，提供了一种包括闪存和闪存控制器的电子设备。闪存控制器耦合到闪存，并用于管理对闪存的数据存取。闪存控制器包括定时器、存储器和耦合到定时器和存储器的微控制器。定时器用于产生时钟中断。存储器用于在预定时间段内保持被编程到闪存中的数据的条目列表。在每个时钟中断时，微控制器用于写入被编程到闪存中的数据的条目以更新条目列表。

在本发明的另一个实施例中，公开了一种管理闪存的读取电平的方法。该方法由包括闪存和与闪存耦合的闪存控制器的电子设备采用。闪存控制器包括定时器、存储器和微控制器。该方法包括定时器产生时钟中断，存储器在预定的时间段内保持被编程到闪存中的数据的条目列表，并且在每个时钟中断时，微控制器写入被编程到闪存中的数据的条目以更新条目列表。

在阅读了在各个图和图示中示出的优选实施例的以下详细描述之后，对本领域技术人员来说，本发明的这些和其他目的无疑将变得显而易见。

附图说明

结合在此并形成申请文件的部分的附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起进一步用于解释本公开的原理并使得相关领域的技术人员能够实现和使用本公开。

图1示出了初始保持时段中的存储器单元组的阈值电压分布。

图2示出了在初始保持时段之后的存储器单元组的阈值电压分布。

图3是根据本发明的实施例的电子设备的框图。

图4示出了图3中的电子设备采用的正常读取操作的时序图。

图5示出了图3中的电子设备采用的最近编程的读取操作的时序图。

图6是并入于图3中的闪存中的多路复用器的示意图。

图7示出了图3中的最近编程的页面池的示例性数据结构。

图8是并入于图3中的电子设备中的程序顺序标签管理(program order tagmanagement)过程的流程图。

图9是图3中的电子设备采用的读取电平管理方法的流程图。

具体实施方式