[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

本公开提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，所述阵列基板包括：衬底基板；光敏元件，位于所述衬底基板与发光器件之间，被配置为感测所述发光器件发出的光，并根据所述发光器件发出的光产生感测信号；电容器，被配置为存储所述感测信号；和感测晶体管，位于所述衬底基板与所述光敏元件之间，被配置为将所述感测信号传输至感测线，其中，所述感测晶体管在所述衬底基板上的正投影与所述光电二级管在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

目前，在显示面板出厂时需要对显示面板进行一次光学补偿。为了实现对显示面板的光学补偿，可以在显示面板的阵列基板中设置光敏元件与感测晶体管。

相关技术中，阵列基板中的光敏元件与感测晶体管各占用版图面积的一部分，互相没有交叠。

发明内容

根据本公开实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括：衬底基板；光敏元件，位于所述衬底基板与发光器件之间，被配置为感测所述发光器件发出的光，并根据所述发光器件发出的光产生感测信号；电容器，被配置为存储所述感测信号；和感测晶体管，位于所述衬底基板与所述光敏元件之间，被配置为将所述感测信号传输至感测线，其中，所述感测晶体管在所述衬底基板上的正投影与所述光电二级管在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

在一些实施例中，所述阵列基板包括覆盖所述感测晶体管的第一电介质层；所述电容器包括：第一金属层，与信号线连接，位于所述第一电介质层远离所述衬底基板的一侧；第二电介质层，位于所述第一电介质层和所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一金属层在所述衬底基板上的正投影在所述第二电介质层在所述衬底基板上的正投影之内；和第二金属层，位于所述第二电介质层远离所述衬底基板的一侧，所述第二金属层通过贯穿所述第二电介质层和所述第一电介质层的第一过孔与所述感测晶体管的第一电极连接；其中，所述光敏元件位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧。

在一些实施例中，所述第二金属层部分地位于所述第一过孔中、且与所述感测晶体管的第一电极接触。

在一些实施例中，所述光敏元件包括P型半导体层和位于所述P型半导体层与所述第二金属层之间的N型半导体层。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括：平坦化层，位于所述第二电介质层和所述P型半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述平坦化层具有延伸到所述P型半导体层的第一开口；电极层，部分地位于所述第一开口中、且与所述P型半导体层接触，所述电极层通过贯穿所述平坦化层和所述第二电介质层的第二过孔与所述第一金属层连接。

在一些实施例中，所述电极层部分地位于所述第二过孔中、且与所述第一金属层接触。

在一些实施例中，所述感测晶体管包括：有源层；栅极电介质层，位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；栅极，位于所述栅极电介质层远离所述有源层的一侧；层间电介质层，位于所述栅极电介质层远离所述衬底基板的一侧、且覆盖所述栅极，所述层间电介质层具有延伸到所述有源层的第二开口和第三开口；第二电极，至少部分地位于所述第三开口中、且与所述有源层接触；其中，所述第一电极至少部分地位于所述第二开口中、且与所述有源层接触。

在一些实施例中，所述光敏元件还包括本征半导体层，位于所述P型半导体层与所述N型半导体层之间。

在一些实施例中，所述P型半导体层、所述N型半导体层和所述本征半导体层中的至少一层的材料包含氢。

在一些实施例中，所述阵列基板包括驱动晶体管，位于所述衬底基板与所述发光器件之间；所述驱动晶体管在所述衬底基板上的正投影与所述感测晶体管在所述衬底基板上的正投影间隔开。

在一些实施例中，所述感测晶体管在所述衬底基板上的正投影在所述光电二级管在所述衬底基板上的正投影之内。