[发明专利]发光装置在审
申请号: | 201980000931.2 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN110546772A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 韩普庸 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L25/075 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘灿强;姜长星<国际申请>=PCT/KR |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蓝色发光 近紫外线 发光装置 蓝色光 发光二极管芯片 绿色发光 白色光 发光部 波段 光谱功率分布 波长变换部 波长变换 红色光 绿色光 太阳光 | ||
1.一种发光装置,包括:
蓝色发光部,发出蓝色光;
绿色发光部,发出绿色光;以及
红色发光部,发出红色光,
所述蓝色发光部包括:近紫外线发光二极管芯片;以及波长变换部,对从所述近紫外线发光二极管芯片发出的近紫外线进行波长变换而发出蓝色光,
从所述蓝色发光部发出的与近紫外线对应的波段发出的强度的峰值在从所述蓝色发光部发出的与蓝色光对应的波段发出的强度的峰值的0%至20%范围。
2.如权利要求1所述的发光装置,其中,所述蓝色发光部包括:
壳体;
近紫外线发光二极管芯片,安装在所述壳体;以及
波长变换部,布置为覆盖所述近紫外线发光二极管芯片,包括将从所述近紫外线发光二极管芯片发出的近紫外线波长变换为蓝色光的一种以上的荧光体。
3.如权利要求2所述的发光装置,其中,
所述荧光体是BaMgAl10O17:Mn2+、BaMgAl12O19:Mn2+以及Sr,Ca,Ba(PO4)Cl:Eu2+中的任意一个以上。
4.如权利要求1所述的发光装置,其中,所述绿色发光部包括:
壳体;
近紫外线发光二极管芯片或者蓝色发光二极管芯片,安装在所述壳体;以及
波长变换部,布置为覆盖所述近紫外线发光二极管芯片或者蓝色发光二极管芯片,包括将从所述近紫外线发光二极管芯片或者蓝色发光二极管芯片发出的光波长变换为蓝色光的一种以上的荧光体。
5.如权利要求4所述的发光装置,其中,
从所述绿色发光部发出的与近紫外线或者蓝色光对应的波段发出的强度的峰值在从所述绿色发光部发出的与绿色光对应的波段发出的强度的峰值的0%至20%范围。
6.如权利要求4所述的发光装置,其中,
所述荧光体是LuAG(Lu3(Al,Gd)5O12:Ce3+)、YAG(Y3(Al,Gd)5O12:Ce3+)、Ga-LuAG((Lu,Ga)3(Al,Gd)5O12:Ce3+、Ga-YAG((Ga,Y)3(Al,Gd)5O12:Ce3+)、LuYAG((Lu,Y)3(Al,Gd)5O12:Ce3+)、正硅酸盐((Sr,Ba,Ca,Mg)2SiO4:Eu2+)、氮氧化物((Ba,Sr,Ca)Si2O2N2:Eu2+)以及硫代酸酯(SrGa2S4:Eu2+)中的任意一个以上。
7.如权利要求1所述的发光装置,其中,所述红色发光部包括:
壳体;
近紫外线发光二极管芯片或者蓝色发光二极管芯片,安装在所述壳体;以及
波长变换部,布置为覆盖所述近紫外线发光二极管芯片或者蓝色发光二极管芯片,包括将从所述近紫外线发光二极管芯片或者蓝色发光二极管芯片发出的光波长变换为红色光的一种以上的荧光体。
8.如权利要求7所述的发光装置,其中,
从所述红色发光部发出的与近紫外线或者蓝色光对应的波段发出的强度的峰值在从所述红色发光部发出的与红色光对应的波段发出的强度的峰值的0%至20%范围。
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