[发明专利]纳米压印模具及其制造方法、使用纳米压印模具的图案转印方法

权利要求书

1.一种纳米压印模具，包括：

衬底基板，所述衬底基板包括主区域和围绕所述主区域的次区域；

其中，所述主区域包括模具结构，并且所述模具结构包括多个第一凹部和多个第一凸部，所述次区域包括栅结构，所述栅结构包括多个第二凹部和多个第二凸部，并且

所述多个第二凸部中的至少一个的高度大于所述多个第一凸部中的至少一个的高度。

2.根据权利要求1所述的纳米压印模具，其中，所述多个第二凸部中的至少一个的高度在约160nm至约420nm的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的纳米压印模具，其中，所述多个第一凸部中的至少一个的高度在约120nm至约200nm的范围内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的纳米压印模具，其中，所述栅结构的宽度在约0.5μm至约1.5μm的范围内。

5.根据权利要求1所述的纳米压印模具，其中，所述多个第二凸部中的每一个包括底部和顶部，所述顶部和所述底部由不同材料制成，并且所述多个第二凸部中的每一个的底部、所述衬底基板和所述多个第一凸部由相同材料制成。

6.根据权利要求5所述的纳米压印模具，其中，所述多个第二凸部中的每一个的底部、所述衬底基板和所述多个第一凸部由第一金属、第一无机材料或第一聚合物制成。

7.根据权利要求6所述的纳米压印模具，其中，所述第一金属是Ni；所述第一无机材料是Si、石英、或玻璃；并且所述第一聚合物是聚二甲基硅氧烷。

8.根据权利要求5所述的纳米压印模具，其中，所述多个第二凸部中的每一个的顶部由第二金属或第二无机材料制成。

9.根据权利要求8所述的纳米压印模具，其中，所述第二金属是Mo或Ti，并且所述第二无机材料是SiN_x或SiO_x。

10.根据权利要求1所述的纳米压印模具，其中，所述多个第二凸部中的每一个的宽度在约50nm至约100nm的范围内，并且所述多个第二凹部中的每一个的宽度在约100nm至约200nm的范围内。

11.根据权利要求1所述的纳米压印模具，其中，所述多个第一凸部中的每一个的宽度在约150nm至约200nm的范围内，并且所述多个第一凹部中的每一个的宽度在约170nm至约220nm的范围内。

12.一种制造纳米压印模具的方法，包括:

在衬底基板上形成金属层，所述衬底基板包括主区域和次区域；

在所述金属层上形成第一光刻胶的层；

通过电子束直写方法在所述次区域中形成所述第一光刻胶的栅图案；

通过所述第一光刻胶的所述栅图案蚀刻所述金属层以在所述次区域中形成所述金属层的栅图案；

在暴露的所述衬底基板和所述金属层的所述栅图案上形成第二光刻胶的层；

通过电子束直写方法在所述衬底基板和所述金属层的所述栅图案上形成所述第二光刻胶的栅图案；

通过所述第二光刻胶的所述栅图案蚀刻所述衬底基板；以及

移除所述第二光刻胶的所述栅图案以形成所述主区域中的模具结构和所述次区域的栅结构；

其中，所述模具结构包括多个第一凸部和多个第一凹部，所述栅结构包括多个第二凸部和多个第二凹部，并且所述多个第二凸部中的至少一个的高度大于所述多个第一凸部中的至少一个的高度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述多个第二凸部中的每一个包括底部和顶部，所述顶部和所述底部由不同材料制成，并且所述多个第二凸部中的每一个的底部、所述衬底基板和所述多个第一凸部由相同材料制成。