[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 201980001057.4 | 申请日: | 2019-07-16 |
公开(公告)号: | CN110520976A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 李峰;方业周 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 杨广宇<国际申请>=PCT/CN2019 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平坦层 输出电极 衬底基板 开关单元 像素电极 显示基板 正投影区域 接触电阻 开关特性 显示装置 正投影 减小 刻蚀 制造 | ||
1.一种显示基板的制造方法,包括:
在衬底基板上形成开关单元,所述开关单元包括输出电极;
在所述开关单元远离所述衬底基板的一侧形成平坦层,所述平坦层上与所述输出电极对应区域具有平坦层过孔,所述平坦层过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述输出电极在所述衬底基板上的正投影区域内;
对所述输出电极上与所述平坦层过孔对应区域的表面进行刻蚀;
在所述平坦层远离所述开关单元的一侧形成像素电极,所述像素电极通过所述平坦层过孔与所述输出电极接触。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,
对所述输出电极上与所述平坦层过孔对应区域的表面进行刻蚀,包括:
以所述平坦层为掩膜,对所述输出电极上与所述平坦层过孔对应区域的表面进行刻蚀。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,
在所述开关单元远离所述衬底基板的一侧形成平坦层之前,所述方法还包括:
在所述开关单元远离所述衬底基板的一侧形成钝化层;
所述在所述开关单元远离所述衬底基板的一侧形成平坦层,包括:
在所述钝化层远离所述开关单元的一侧形成平坦层,所述钝化层上与所述输出电极对应区域通过所述平坦层过孔裸露;
所述以所述平坦层为掩膜,对所述输出电极上与所述平坦层过孔对应区域的表面进行刻蚀,包括:
以所述平坦层为掩膜,对所述钝化层上通过所述平坦层过孔裸露的区域进行过刻,以在所述钝化层上形成钝化层过孔,并对所述输出电极上与所述平坦层过孔对应区域的表面进行刻蚀,所述钝化层过孔与所述平坦层过孔连通,所述钝化层过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述平坦层过孔在所述衬底基板上的正投影区域内;
所述在所述平坦层远离所述开关单元的一侧形成像素电极,所述像素电极通过所述平坦层过孔与所述输出电极接触,包括:
在所述平坦层远离所述开关单元的一侧形成像素电极,所述像素电极通过所述平坦层过孔和所述钝化层过孔与所述输出电极接触。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,
所述平坦层过孔和所述钝化层过孔上相互连通的两个开口面重合。
5.根据权利要求3或4所述的方法,其中,
所述以所述平坦层为掩膜,对所述钝化层上通过所述平坦层过孔裸露的区域进行过刻,包括:
以所述平坦层为掩膜,通过干法刻蚀工艺对所述钝化层上通过所述平坦层过孔裸露的区域进行过刻。
6.根据权利要求2所述的方法,其中,
所述输出电极通过所述平坦层过孔裸露,所述以所述平坦层为掩膜,对所述输出电极上与所述平坦层过孔对应区域的表面进行刻蚀,包括:
以所述平坦层为掩膜,通过湿法刻蚀工艺对所述输出电极上通过所述平坦层过孔裸露的区域的表面进行刻蚀。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,
在所述开关单元远离所述衬底基板的一侧形成平坦层之后,所述方法还包括:
对所述平坦层固化目标时长,所述目标时长小于或者等于30分钟。
8.根据权利要求1至4任一所述的方法,其中,
所述开关单元为薄膜晶体管,
所述在衬底基板上形成开关单元,包括:
在所述衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极层,所述源漏极层包括源极和漏极,所述输出电极为所述漏极。
9.根据权利要求1至4任一所述的方法,其中,所述方法还包括:
在所述像素电极远离所述平坦层的一侧依次形成绝缘层和公共电极。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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