[发明专利]多晶硅表征方法

权利要求书

1.一种多晶硅表征的方法，包括：

接收在样品衬底上形成的多晶硅结构的图像数据，所述图像数据在空间域中并且由透射电子显微镜TEM生成；

将所述多晶硅结构的图像数据变换到频域，以提取所述图像数据在频域中的频谱；

从所述频谱中选择与具有第一取向的第一晶粒的特征对应的频谱子集；和

将所选频谱子集变换到空间域中来构造具有所述第一取向的所述第一晶粒的第一空间图像。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

根据所述第一空间图像中像素的亮度，检测所述第一晶粒中晶粒的边界；和

根据所检测到的边界，确定所述第一晶粒中所述晶粒的尺寸。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

根据所述第一空间图像中像素的亮度计算所述第一晶粒的第一面积。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

选择空间频谱的频谱子集，所述空间频谱的所述频谱子集分别对应于各个潜在取向的晶粒的特征；和

分别将所述空间频谱的所述频谱子集变换到所述空间域，以针对所述各个潜在取向构造空间图像。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

根据所述各个空间图像中像素的亮度，在所述各个空间图像中针对所述各个潜在取向计算所述晶粒的面积；和

将所述面积相加，以计算所述潜在取向的所述晶粒的总面积。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

基于所述晶粒的所述总面积和所述多晶硅结构的面积的比确定多晶硅结晶率PCR。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

将所述PCR与PCR阈值进行比较，所述PCR阈值是基于生产衬底上器件的电性能要求确定的，制造所述生产衬底来为所述器件形成多晶硅沟道，其中所述样品衬底用于监测所述多晶硅沟道的质量；

基于所述比较，确定对所述生产衬底的下一步动作。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述多晶硅结构的图像数据变换到频域，以提取所述图像数据在频域中的频谱还包括：

对所述多晶硅结构的所述图像数据执行傅立叶变换。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，将所选频谱子集变换到空间域中来构造所述第一取向的所述第一晶粒的所述第一空间图像还包括：

对所选频谱子集执行傅立叶逆变换。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述频谱中选择与具有第一取向的第一晶粒的特征对应的频谱子集还包括：

选择与具有所述第一取向的所述第一晶粒对应的至少一对频率分量。

11.一种存储指令的非暂时性计算机可读介质，当计算机执行所述指令时，使所述计算机执行：

接收在样品衬底上形成的多晶硅结构的图像数据，所述图像数据在空间域中并由透射电子显微镜TEM生成；

将所述多晶硅结构的图像数据变换到频域，以提取所述图像数据在频域中的频谱；

从所述频谱中选择与具有第一取向的第一晶粒的特征对应的频谱子集；和

将所选频谱子集变换到空间域来构造具有所述第一取向的所述第一晶粒的第一空间图像。

12.根据权利要求11所述的非暂时性计算机可读介质，其中，所述指令使所述计算机进一步执行：

根据所述第一空间图像中像素的亮度，检测所述第一晶粒中晶粒的边界；和

根据所检测到的边界，确定所述第一晶粒中所述晶粒的尺寸。

13.根据权利要求11所述的非暂时性计算机可读介质，其中，所述指令使所述计算机进一步执行：

根据所述第一空间图像中像素的亮度，计算所述第一晶粒的第一面积。