[发明专利]交错偏置变容二极管

权利要求书

1.一种交错偏置变容二极管，包括：

一对变容二极管端子；

控制电压节点；

N个偏压输入节点，其中N是大于1的正整数；和

N个子变容二极管，每个子变容二极管耦合在所述一对变容二极管端子之间，并且具有与所述控制电压节点和N个偏置电压节点中各自的一个耦合的可变电容部分，

每个子变容二极管的各自的子变容二极管电容随施加在所述控制电压节点上的控制电压和施加在所述N个偏置电压节点中各自的一个上的各自的偏置电压而变化。

2.如权利要求1所述的交错偏置变容二极管，其中：

所述N个偏置电压节点中每个各自的一个上施加不同的各自的偏置电压。

3.如权利要求2所述的交错偏置变容二极管，其中：

对于每个子变容二极管，各自的子变容二极管的电容随施加在所述控制电压节点处的所述控制电压呈非线性变化；和

响应于施加在所述N个偏置电压节点中每个各自的一个上的不同的各自的偏置电压，并联的所述N个子变容二极管上的总变容器电容随所述控制电压基本呈线性变化。

4.如权利要求1所述的交错偏置变容二极管，其中每个子变容二极管包括：

第一电容器，耦合在各自的第一偏置电压端子和各自的控制电压端子之间；和

第二电容器，耦合在各自的控制电压端子和各自的第二偏置电压端子之间，

所述第一偏置电压端子与所述一对变容二极管端子中的第一个耦合并与所述N个偏置电压节点中各自的一个耦合，以及

所述第二偏置电压端子与所述一对变容二极管端子中的第二个耦合并与所述N个偏置电压节点中各自的一个耦合。

5.如权利要求4所述的交错偏置变容二极管，其中所述第一偏置电压端子通过第三电容器与所述一对变容二极管端子中的第一个耦合。

6.如权利要求4所述的交错偏置变容二极管，其中所述第二偏置电压端子通过第四电容器与所述一对变容二极管端子中的第二个耦合。

7.如权利要求4所述的交错偏置变容二极管，其中所述各自的第一偏置电压端子和所述各自的第二偏置电压端子分别经由各自的电阻器与所述N个偏置电压节点中各自的一个耦合。

8.如权利要求4所述的交错偏置变容二极管，其中，对于每个子变容二极管，所述第一电容器和所述第二电容器具有相同的标称电容。

9.一种用于控制交错偏置变容二极管的变容二极管端子间的总电容的方法，该方法包括：

在交错偏置变容二极管的N个偏置电压输入节点的每一个施加N个不同的固定偏置电压电平中的各自的一个，其中N是大于1的正整数；和

改变施加在控制电压节点的控制电压电平，

其中所述交错偏置变容二极管包括N个子变容二极管，每个子变容二极管耦合在所述变容二极管的端子之间，并且具有与所述控制电压节点和N个偏置电压节点中各自的一个耦合的可变电容部分，从而所述每个子变容二极管的各自的子变容二极管电容响应于改变所述控制电压电平而变化。

10.如权利要求9所述的方法，还包括：

设置所述N个不同的固定偏置电压电平，使得响应于在所述N个偏置电压输入节点中的每一个上施加所述N个不同的固定偏置电压电平中的各自一个：

每个子变容二极管的各自子变容二极管电容响应于改变所述控制电压电平呈非线性地变化；和

所述交错偏置变容二极管的总电容响应于改变所述控制电压电平基本上呈线性地变化，所述交错偏置变容二极管的总电容为所述N个子变容二极管并联的电容。