[发明专利]电容装置及其制备方法

说明书

本申请实施例提供一种电容装置及其制备方法，所述电容装置包括：至少一个电容器；其中，所述至少一个电容器包括至少一层第一电介质层和至少一层第二电介质层，所述第一电介质层具有正的电压系数且所述第二电介质层具有负的电压系数；和/或，所述第一电介质层具有正的温度系数且所述第二电介质层具有负的温度系数。利用正负相消的原理，可以使得所述至少一个电容器作为一个整体时其电压系数和/或温度系数为0或接近0。由此，所述至少一个电容器的偏压或者温度发生变化时，其容值不会发生变化或变化较小，有效保证了所述电容装置的性能。

技术领域

本申请涉及电容器领域，并且更具体地，涉及电容装置及其制备方法。

背景技术

电容器在电路中可以起到旁路、滤波、去耦等作用，是保证电路正常运转的不可或缺的一部分。实际生产的电容器的容值会随其两端的偏压大小或者温度的变化发生变化。

具体地，电容器的容值随偏压的变化可以采用下列公式表征：

C(V)＝C₀(α·V²+β·V+1)。

其中，C₀表示电容器在0伏特(V)偏压下的容值，α是电容的二次电压系数，β是电容的一次电压系数，又称线性系数。

类似地，电容器的容值随温度的变化可以采用下列公式表征：

C(T)＝C₂₅(γ·(T-25)+1)。

其中，C₂₅是电容器在25摄氏度(℃)下的容值，γ是电容器的温度系数。

根据使用的电介质材料的不同，电容器的电压系数和温度系数可以为正或者为负。

现有技术中，通常将具有正的电压系数的材料和具有负的电压系数的材料均匀混合，以形成电压系数接近0的电介质材料，和/或将具有正的温度系数的材料和具有负的温度系数的材料均匀混合，以形成温度系数接近0的电介质材料，进而制备电压系数和/或温度系数接近0的电容器，以提高电容器的性能。例如，NP0型积层陶瓷晶片电容(MultilayerCeramic Capacitors，MLCC)。

但是，通过混合不同系数的材料制备系数接近0的电容器，其对工艺要求较高，实现起来较为困难。

因此，本领域急需一种新型的电压系数和/或温度系数接近0的电容器。

发明内容

本申请实施例提供一种电容装置及其制备方法，能够降低所述电容装置的电压系数和/或温度系数。

第一方面，提供了一种电容装置，包括：

至少一个电容器；

其中，所述至少一个电容器包括至少一层第一电介质层和至少一层第二电介质层，所述第一电介质层具有正的电压系数且所述第二电介质层具有负的电压系数；和/或，所述第一电介质层具有正的温度系数且所述第二电介质层具有负的温度系数。

通过所述第一电介质层的正的电压系数抵消第二电介质层的负的电压系数，可以使得所述至少一个电容器的电压系数为0或接近0，类似的，通过所述第一电介质层的正的温度系数抵消所述第二电介质层的负的温度系数，可以所述至少一个电容器的电压系数为0或接近0。即利用正负相消的原理，可以使得所述至少一个电容器作为一个整体时其电压系数和/或温度系数为0或接近0。

由此，所述至少一个电容器的偏压或者温度发生变化时，其容值不会发生变化或变化较小，有效保证了电容装置的性能。

在一些可能实现的方式中，所述第一电介质层的正的电压系数和所述第二电介质层的负的电压系数使得所述至少一个电容器的电压系数为0或接近0；和/或，所述第一电介质层的正的温度系数和所述第二电介质层的负的温度系数使得所述至少一个电容器的温度系数为0或接近0。