[发明专利]提供坏列修复的存储器设备和操作其的方法有效
申请号: | 201980001417.0 | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN110546709B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 陈嘉伟;汤强;侯春源 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44;G11C29/18 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 刘柳;杨锡劢 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提供 修复 存储器 设备 操作 方法 | ||
1.一种操作存储器设备的方法,所述存储器设备包括存储器阵列、第一缓冲器、第二缓冲器、修复逻辑电路和内部存储器,且所述方法包括:
所述修复逻辑电路从所述内部存储器接收坏列表,所述坏列表包含在所述存储器阵列中的坏列的信息;
所述第一缓冲器接收第一数据;
所述修复逻辑电路从所述第一缓冲器接收所述第一数据;以及
所述修复逻辑电路根据所述坏列表将所述第一数据映射到第二数据上,其中,所述映射包括:响应于所述坏列的存在,利用无效数据对所述第一数据进行操作,以生成所述第二数据。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,根据所述坏列表将所述第一数据映射到所述第二数据上包括:在写操作中,响应于所述坏列的存在,根据所述坏列的位置将所述无效数据插到所述第一数据内,以生成所述第二数据。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,根据所述坏列表将所述第一数据映射到所述第二数据上包括:在读操作中,响应于所述坏列的存在,根据所述坏列的位置将所述无效数据从所述第一数据中移除,以生成所述第二数据。
4.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述坏列表包含在所述存储器阵列中的所述坏列的坏列地址;以及
所述修复逻辑电路根据所述坏列表将所述第一数据映射到所述第二数据包括:
所述修复逻辑电路根据所述坏列表将逻辑地址映射到所述存储器阵列的物理地址上;以及
所述修复逻辑电路不从所述第一数据选择不与所述物理地址相关的数据以生成所述第二数据。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述修复逻辑电路根据所述坏列表将所述逻辑地址映射到所述存储器阵列的所述物理地址上包括:
所述修复逻辑电路确定所述坏列表是否包含在所述逻辑地址前面或等于所述逻辑地址的至少一个坏列地址;以及
如果是,则所述修复逻辑电路根据所述逻辑地址和所述至少一个坏列地址的数量来确定所述物理地址。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述修复逻辑电路根据所述坏列表将所述第一数据映射到所述第二数据上包括:
所述修复逻辑电路在预取时段期间将所述第一数据映射到所述第二数据上。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在读操作中,所述第一缓冲器以第一速度从所述存储器阵列接收所述第一数据,
其中,所述修复逻辑电路从所述第一缓冲器接收所述第一数据包括:
在所述读操作中,当所述坏列表指示所述第一数据与在所述存储器阵列中的所述坏列相关时,所述修复逻辑电路以所述第一速度的两倍从所述第一缓冲器接收所述第一数据。
8.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在读操作中,所述第一缓冲器以第一速度从所述存储器阵列接收所述第一数据,
其中,所述修复逻辑电路从所述第一缓冲器接收所述第一数据包括:
在所述读操作中,当所述坏列表指示所述第一数据不与在所述存储器阵列中的所述坏列相关时,所述修复逻辑电路以所述第一速度从所述第一缓冲器接收所述第一数据。
9.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在读操作中,所述修复逻辑电路以第一速度将所述第二数据发送给所述第二缓冲器;以及
在所述读操作中,所述第二缓冲器以所述第一速度的四倍将所述第二数据发送给所述存储器设备的输入/输出接口。
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