[发明专利]显示装置及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201980001452.2 申请日: 2019-08-23
公开(公告)号: CN112740317B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 李大超;杨盛际;许晨 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233;G09G3/3266
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括衬底基板以及形成在所述衬底基板上的至少一个像素电路,其中,

所述像素电路包括驱动晶体管、第一晶体管以及第二晶体管;

所述驱动晶体管包括控制极、第一极和第二极,且被配置为,根据所述驱动晶体管的控制极的电压,控制流经所述驱动晶体管的第一极和所述驱动晶体管的第二极的用于驱动发光元件发光的驱动电流;

所述第一晶体管连接到所述驱动晶体管的控制极,且被配置为响应于第一扫描信号将数据信号写入所述驱动晶体管的控制极;

所述第二晶体管连接到所述驱动晶体管的控制极,且被配置为响应于第二扫描信号将所述数据信号写入所述驱动晶体管的控制极;

其中,所述第一晶体管包括第一有源区,所述第二晶体管包括第二有源区,所述驱动晶体管包括第四有源区;

所述像素电路还包括第三晶体管,所述第三晶体管连接到所述驱动晶体管的第一极,且被配置为响应于发光控制信号将第一电源电压施加到所述驱动晶体管的第一极;

所述第三晶体管包括第三有源区,所述第一有源区以及所述第二有源区的掺杂浓度均大于所述第三有源区和所述第四有源区的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第四有源区的掺杂浓度小于所述第三有源区的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第四有源区的掺杂浓度比第三有源区的掺杂浓度小4个数量级。

4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第三有源区的掺杂浓度约为1017cm-3,所述第四有源区的掺杂浓度约为1013cm-3

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

所述第一有源区以及所述第二有源区的掺杂浓度比所述第三有源区的掺杂浓度大3个数量级。

6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,

所述第三有源区的掺杂浓度约为1017cm-3,所述第一有源区以及所述第二有源区的掺杂浓度约为1020cm-3

7.根据权利要求1-6任一项所述的显示装置,其中,所述第一晶体管为第一半导体型MOS晶体管,所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述驱动晶体管均为第二半导体型MOS晶体管,所述第一半导体型和所述第二半导体型的掺杂类型相反。

8.根据权利要求1-6任一项所述的显示装置,其中,

沿所述第一晶体管的第一极至所述第一晶体管的第二极的方向为第一方向,沿所述第二晶体管的第一极至所述第二晶体管的第二极的方向为第二方向,沿所述第三晶体管的第一极至所述第三晶体管的第二极的方向为第三方向,沿所述驱动晶体管的第一极至所述驱动晶体管的第二极的方向为第四方向,

其中,所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向中的至少一个和所述第四方向相交。

9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向均和所述第四方向垂直。

10.根据权利要求1-6任一项所述的显示装置,其中,

所述第一晶体管的第一极以及所述第二晶体管的第一极连接以得到公共电极,并通过公共电极与所述驱动晶体管的控制极连接;

所述第一晶体管的控制极被配置为接收所述第一扫描信号,所述第一晶体管的第二极被配置为接收所述数据信号;

所述第二晶体管的控制极被配置为接收所述第二扫描信号,所述第二晶体管的第二极被配置为接收所述数据信号;

所述第三晶体管的控制极被配置为接收所述发光控制信号,所述第三晶体管的第一极被配置为接收所述第一电源电压,所述第三晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第一极连接;

所述驱动晶体管的第二极被配置为和所述发光元件连接。

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