[发明专利]电子装置基板及其制作方法、电子装置有效
申请号: | 201980001517.3 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN112771674B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 张逵;卢鹏程;刘李;李云龙;张大成 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种电子装置基板,包括衬底基板、第一绝缘层、多个发光子单元、第一导电部件以及第二导电部件,
其中,所述多个发光子单元、所述第一导电部件以及所述第二导电部件设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧;
所述多个发光子单元设置在所述电子装置基板的阵列区域中,所述第一导电部件设置在所述电子装置基板的围绕所述阵列区域的周边区域中,所述第二导电部件设置在所述第一导电部件与所述阵列区域之间;
所述第一导电部件在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影间隔设置;
所述多个发光子单元的每个包括第一驱动电极和第二驱动电极,所述第一驱动电极和所述第二驱动电极被配置为施加发光驱动电压,所述多个发光子单元的第二驱动电极一体以形成第一公共电极层;
所述周边区域还包括第二公共电极层,所述第一导电部件与所述第二公共电极层电性连接,所述第二公共电极层与所述第一公共电极层电连接;以及
所述第一导电部件、所述第二导电部件与所述第一驱动电极均与所述第一绝缘层直接接触;
所述电子装置基板还包括第三导电部件,其中,所述第三导电部件设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧,所述第三导电部件围绕所述阵列区域设置且与所述第一驱动电极位于同一导电结构层中,所述第二导电部件围绕所述第三导电部件设置;
所述多个发光子单元的每个包括发光层,所述多个发光子单元的发光层一体以形成发光材料层;以及
所述发光材料层延伸到所述第三导电部件上且与所述第三导电部件至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的电子装置基板,其中,所述第一导电部件和所述第二导电部件与所述第二公共电极层叠置;
所述第一导电部件、所述第二导电部件也与所述第一驱动电极位于所述同一导电结构层中;
所述第一导电部件在所述衬底基板上的正投影,所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影以及所述第一驱动电极在所述衬底基板上的正投影间隔设置;以及
所述第二公共电极层与所述第一公共电极层一体化以形成公共电极层。
3.根据权利要求1所述的电子装置基板,其中,所述第二导电部件与所述第二公共电极层直接电性连接。
4.根据权利要求1所述的电子装置基板,其中,所述第二导电部件包括间隔设置的多个第一电极图案,所述多个第一电极图案整体上布置为环状。
5.根据权利要求4所述的电子装置基板,其中,所述第一导电部件为连续的第一环状结构。
6.根据权利要求4所述的电子装置基板,其中,所述第一导电部件包括间隔设置的多个第二电极图案,所述多个第二电极图案整体上布置为环状。
7.根据权利要求6所述的电子装置基板,其中,所述第二电极图案的形状、所述第一电极图案的形状以及所述第一驱动电极的形状相同。
8.根据权利要求7所述的电子装置基板,其中,所述第二电极图案的尺寸、所述第一电极图案的尺寸以及所述第一驱动电极的尺寸相等。
9.根据权利要求1所述的电子装置基板,其中,所述第一导电部件为连续的第一环状结构,所述第二导电部件为连续的第二环状结构,以及所述第三导电部件为连续的第三环状结构。
10.根据权利要求9所述的电子装置基板,其中,所述第二导电部件与所述第一导电部件不直接电连接。
11.根据权利要求9所述的电子装置基板,其中,在从所述阵列区域指向所述周边区域的方向上,所述第二导电部件的环宽小于所述第一导电部件的环宽。
12.根据权利要求1所述的电子装置基板,其中,在从所述阵列区域指向所述周边区域的方向上,所述第一导电部件与所述第二导电部件之间的间距等于相邻的发光子单元的第一驱动电极之间的间距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的