[发明专利]辐射探测器、操作辐射探测器的方法以及制造辐射探测器的方法

权利要求书

1.一种具有多个像素的辐射探测器，其中，所述多个像素中的相应一个包括：

基底基板；

薄膜晶体管，其位于所述基底基板上；

绝缘层，其位于所述薄膜晶体管的远离所述基底基板的一侧；

光传感器，其位于所述绝缘层的远离所述基底基板的一侧；

钝化层，其位于所述光传感器的远离所述基底基板的一侧；

闪烁层，其位于所述钝化层远离所述基底基板的一侧；以及

反射层，其位于所述闪烁层的远离所述基底基板的一侧；

其中，所述光传感器包括与所述钝化层直接接触的第一极性层、以及与所述薄膜电晶体的源极连接的第二极性层；而且

其中，所述第一极性层的除了所述光传感器内部的侧面之外的所有侧面与所述钝化层完全直接接触。

2.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中，所述辐射探测器不存在任何连接到所述第一极性层的偏置电压信号线，并且不存在任何直接连接到所述第一极性层的偏置电极。

3.根据权利要求1或2所述的辐射探测器，其中，所述钝化层是在全部的所述多个像素上延伸的单一层；而且

在所述多个像素中，所述辐射探测器基本上不存在任何延伸穿过所述钝化层的过孔。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的辐射探测器，其中，所述第一极性层通过所述钝化层与所述闪烁层间隔开；而且

在与所述光传感器对应的区域中，所述钝化层在第一侧面上与所述闪烁层直接接触，并且在与所述第一侧面相对的第二侧面上与所述第一极性层直接接触。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的辐射探测器，还包括在所述绝缘层的远离所述基底基板的一侧上的金属层；

其中，所述金属层包括在同一层中且彼此间隔开的第一部分和第二部分；

所述第一部分位于所述绝缘层的远离所述薄膜晶体管的有源层的一侧上，并且被配置为遮挡光以免照射在所述有源层上；而且

所述第二部分位于所述绝缘层与所述第二极性层之间，电连接至所述第二极性层，且延伸穿过所述绝缘层以连接至所述薄膜晶体管的源极。

6.根据权利要求5的辐射探测器，其中，在与所述第一部分对应的区域中，所述钝化层在第一侧面与所述闪烁层直接接触，并且钝化层在与所述第一侧面相对的第二侧面与所述第一部分直接接触。

7.根据权利要求5或6所述的辐射探测器，其中，所述第一部分在所述基底基板上的正投影与所述光传感器在所述基底基板上的正投影完全不重叠；而且

所述第一部分在所述基底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述基底基板上的正投影。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的辐射探测器，其中，所述光传感器在所述基底基板上的正投影与在所述第二部分与所述反射层之间的任何金属层在所述基底基板上的正投影基本上不重叠。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的辐射探测器，其中，在与所述光传感器对应的区域中，所述辐射探测器不存在任何延伸穿过所述钝化层以连接所述钝化层两侧的部件的过孔。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的辐射探测器，其中，所述反射层是在全部的所述多个像素上延伸的单一层。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的辐射探测器，其中，所述辐射探测器是X射线检测器。