[发明专利]用于裸片对裸片进行键合的方法和结构有效
申请号: | 201980002468.5 | 申请日: | 2019-10-12 |
公开(公告)号: | CN110892521B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/8242;H01L25/18;H01L27/108;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 刘柳;杨锡劢 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 进行 方法 结构 | ||
1.一种用于键合的方法,包括:
对一个或多个器件晶圆进行分割以获得多个裸片;
将所述多个裸片中的至少一个第一裸片放置到第一载体晶圆上,并且将所述多个裸片中的至少一个第二裸片放置到第二载体晶圆上,所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片各自具有功能性;
将所述至少一个第一裸片各自与相应的第二裸片键合;以及
分别去除所述第一载体晶圆和所述第二载体晶圆以形成各自包括所述第一裸片中的一个第一裸片和所述相应的第二裸片的多个键合半导体器件。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在所述进行分割之前在所述一个或多个器件晶圆上方形成相应的保护层;以及
利用所述相应的保护层对所述一个或多个器件晶圆进行分割,以形成各自在相应的保护层部分下方的所述多个裸片。
3.根据权利要求2所述的方法,其中:
所述第一载体晶圆和所述第二载体晶圆各自在与相应裸片接触的表面上包括相应的粘合层;以及
将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片放置到相应的载体晶圆上包括:将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片附着到所述相应的粘合层,所述相应的保护层的部分背对所述粘合层。
4.根据权利要求3所述的方法,其中:
形成所述粘合层包括在与所述相应裸片接触的所述表面上形成多个粘合部分,所述多个粘合部分彼此接触;以及
将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片放置到所述相应的载体晶圆上包括:将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片附着到所述相应的粘合层的相应粘合部分。
5.根据权利要求3所述的方法,还包括在所述第一载体晶圆和所述第二载体晶圆中形成多个相应的开口,其中
形成所述粘合层包括在所述开口中的每个开口的底部形成粘合部分;以及
将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片附着到所述相应的粘合层包括:将所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片各自放置到所述相应的载体晶圆的相应开口中。
6.根据权利要求4或5所述的方法,还包括从所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片中的每一者中去除所述相应的保护层部分。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括在去除所述相应的保护层部分之后,在所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片中的每一者上执行相应的表面处理。
8.根据权利要求1所述的方法,还包括:在所述键合之前,
将所述第一载体晶圆和所述第二载体晶圆中的一者进行翻转;以及
将所述至少一个第一裸片中的每一者与所述相应的第二裸片对准。
9.根据权利要求1中任一项所述的方法,其中,所述键合包括混合键合。
10.根据权利要求1中任一项所述的方法,其中,放置所述至少一个第一裸片包括将所述至少一个第一裸片均匀分布地放置到所述第一载体晶圆上。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括将所述至少一个第一裸片完全覆盖地放置到所述第一载体晶圆上方。
12.一种用于键合的方法,包括:
对一个或多个器件晶圆进行分割以获得多个裸片;
将所述多个裸片中的至少一个第一裸片放置到第一载体晶圆中的相应第一开口中,其中,所述至少一个第一裸片包括在所述第一载体晶圆上进行的均匀分布;
将所述多个裸片中的至少一个第二裸片放置到第二载体晶圆中的相应第二开口中以形成器件层;
将所述至少一个第一裸片与所述第二载体晶圆上的所述器件层键合;以及
分别去除所述第一载体晶圆和所述第二载体晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造