[发明专利]具有可编程逻辑器件和动态随机存取存储器的键合半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体结构，包括：可编程逻辑器件、静态随机存取存储器(SRAM)单元的阵列、以及包括多个第一键合接触部的第一键合层；

第二半导体结构，包括：动态随机存取存储器(DRAM)单元的阵列、以及包括多个第二键合接触部的第二键合层；以及

所述第一键合层和所述第二键合层之间的键合界面，其中，所述第一键合接触部在所述键合界面处与所述第二键合接触部接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构包括：

衬底；

所述衬底上的所述可编程逻辑器件；

所述衬底上且在所述可编程逻辑器件外部的所述SRAM单元的阵列；以及

在所述可编程逻辑器件和所述SRAM单元的阵列上方的所述第一键合层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构包括：

在所述第一键合层上方的所述第二键合层；

在所述第二键合层上方的所述DRAM单元的阵列；以及

在所述DRAM单元的阵列上方并与所述DRAM单元的阵列接触的半导体层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括在所述半导体层上方的焊盘引出互连层。

5.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其中，所述半导体层包括单晶硅。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构包括：

衬底；

所述衬底上的所述DRAM单元的阵列；以及

在所述DRAM单元的阵列上方的所述第二键合层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构包括：

在所述第二键合层上方的所述第一键合层；

在所述第一键合层上方的所述可编程逻辑器件；

在所述第一键合层上方且在所述可编程逻辑器件外部的所述SRAM单元的阵列；以及

在所述可编程逻辑器件和所述SRAM单元的阵列上方并与所述可编程逻辑器件和所述SRAM单元的阵列接触的半导体层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括在所述半导体层上方的焊盘引出互连层。

9.根据权利要求7或8所述的半导体器件，其中，所述半导体层包括单晶硅。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构还包括所述DRAM单元的阵列的外围电路。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构还包括所述DRAM单元的阵列的外围电路。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构包括垂直位于所述第一键合层和所述可编程逻辑器件之间的第一互连层，并且所述第二半导体结构包括垂直位于所述第二键合层和所述DRAM单元的阵列之间的第二互连层。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述可编程逻辑器件通过所述第一互连层和所述第二互连层以及所述第一键合接触部和所述第二键合接触部电连接到所述DRAM单元的阵列。

14.权利要求12或13所述的半导体器件，其中，所述SRAM单元的阵列通过所述第一互连层和所述第二互连层以及所述第一键合接触部和所述第二键合接触部电连接到所述DRAM单元的阵列。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体器件，其中，所述可编程逻辑器件包括多个可编程逻辑块。