[发明专利]用于测序的设备

权利要求书

1.一种测序设备，包括：

与顺式电极相关联的顺式井；

与反式电极相关联的反式井；

位于所述顺式井与所述反式井之间的场效应晶体管(FET)，所述场效应晶体管(FET)包括：

被限定在其中的流体系统，所述流体系统包括：

面向所述顺式井的第一腔；

流体地连接至所述反式井的第二腔；以及

从所述第一腔延伸穿过所述场效应晶体管的通孔；

将所述顺式井和所述第一腔流体地连接的第一纳米级开口，所述第一纳米级开口具有内径；以及

将所述通孔和所述第二腔流体地连接的第二纳米级开口，所述第二纳米级开口具有内径，其中所述第二纳米级开口的内径大于所述第一纳米级开口的内径。

2.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述第二纳米级开口的内径是所述第一纳米级开口的内径的约至少两倍；

所述第一纳米级开口的内径的范围是从约1nm至约3nm；并且

所述第二纳米级开口的内径的范围是从约2nm至约20nm。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二纳米级开口的内径的范围是从所述第一纳米级开口的内径的约两倍到所述第一纳米级开口的内径的约五倍。

4.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述第一纳米级开口的内径的范围是从约0.5nm至约3nm；并且

所述第二纳米级开口的内径的范围是从约10nm至约20nm。

5.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述第二纳米级开口的内径是所述第一纳米级开口的内径的约三倍；

所述第一纳米级开口的内径的范围是从约1nm至约2nm；并且

所述第二纳米级开口的内径的范围是从约10nm至约20nm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，还包括位于所述顺式井与所述第一腔之间的膜，其中所述第一纳米级开口延伸穿过所述膜。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述膜选自由脂质和脂质的仿生等同物组成的组。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一纳米级开口延伸穿过：设置在所述膜中的多核苷酸纳米孔、多肽纳米孔或碳纳米管。

9.根据权利要求6所述的设备，其中所述膜是合成膜，并且其中所述第一纳米级开口是固态纳米孔。

10.根据权利要求1-5和7-9中任一项所述的设备，其中：

所述第一纳米级开口具有可变电阻；并且

所述第二纳米级开口具有至少基本上固定的电阻。

11.根据权利要求1-5和7-9中任一项所述的设备，其中所述设备包括纳米孔测序仪。

12.一种多个根据权利要求11所述的纳米孔测序仪的阵列，其中：

所述多个纳米孔测序仪中的每一个共享共用的顺式电极和共用的反式电极；或者

所述多个纳米孔测序仪中的每一个具有不同的顺式电极和不同的反式电极；或者

所述多个纳米孔测序仪中的每一个共享共用的顺式电极并具有不同的反式电极；或者

所述多个纳米孔测序仪中的每一个具有不同的顺式电极并共享共用的反式电极。