[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201980003452.6 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111868890A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 高木优汰;广田侯然;井上喜晴;宫地正和 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 以及 装置 | ||
1.一种等离子体处理方法，在处理室内对样品进行等离子体处理，其特征在于，
具有：
第一工序，对所述样品进行等离子体处理；
第二工序，在所述第一工序后，使用含氟气体对所述处理室内进行等离子体清洁；以及
第三工序，在所述第二工序后，使用通过进行了脉冲调制的高频电力以及氧气而生成的等离子体对所述处理室内进行等离子体清洁。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述第二工序的等离子体是连续放电的等离子体。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，
使所述脉冲调制中的脉冲的截止时间长于流入所述处理室的内壁的负离子的流量大于流入所述处理室的内壁的电子的流量的等离子体的截止时间，或者使所述脉冲的截止时间与所述等离子体的截止时间相同。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述含氟气体是三氟化氮(NF3)气体。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其特征在于，
将所述脉冲的占空比设为50％以下，
将所述脉冲的周期设为1ms。
6.一种等离子体处理装置，具备：对样品进行等离子体处理的处理室；供给用于生成等离子体的高频电力的高频电源；以及载置所述样品的样品台，其特征在于，
还具备：控制装置，执行规定了以下工序的程序：
第一工序，对所述样品进行等离子体处理；
第二工序，在所述第一工序后，使用含氟气体对所述处理室内进行等离子体清洁；以及
第三工序，在所述第二工序后，使用通过进行了脉冲调制的高频电力以及氧气而生成的等离子体对所述处理室内进行等离子体清洁。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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