[发明专利]等离子体处理方法在审
| 申请号： | 201980003473.8 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN112119484A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 高松知广;荒濑高男;梶房裕之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
1.一种等离子体处理方法，对多晶硅膜进行等离子体蚀刻，其特征在于，
使用卤素气体、碳氟化合物气体、氧气和羰基硫气体的混合气体对所述多晶硅膜进行等离子体蚀刻。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述卤素气体是从Cl2气体、HBr气体、NF3气体和SF6气体中选择的至少一种气体，
所述碳氟化合物气体是从CHF3气体、CF4气体、C4F8气体、C5F8气体、C4F6气体、CH2F2气体和CH3F气体中选择的至少一种气体。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述羰基硫气体的流量相对于所述混合气体的流量的比率为15～35％的范围内的值。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
向对成膜有所述多晶硅膜的样品进行载置的样品台供给2000W以上的高频电力，或者向所述样品台施加1800V以上的峰值间高频电压，并且对所述多晶硅膜进行等离子体蚀刻。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其特征在于，
对所述高频电力进行脉冲调制，
所述脉冲调制的占空比的值为10～40％的范围内的值。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
将对所述多晶硅膜进行等离子体蚀刻的处理室的压力设为3～10Pa的范围内的压力。
7.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
将对成膜有所述多晶硅膜的样品进行载置的样品台的温度设为50℃以下的温度。
8.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述卤素气体为Cl2气体，所述碳氟化合物气体为CHF3气体。
9.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述多晶硅膜是用于在被蚀刻膜上形成孔或者槽的掩模件。
10.根据权利要求8所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述多晶硅膜是用于在被蚀刻膜上形成孔或者槽的掩模件。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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