[发明专利]一种检测处理方法、系统及存储介质

说明书

本发明所提供的一种检测处理方法、系统及存储介质，其中，包括：激光照射生长基板；拍摄设置在所述生长基板上至少一个Micro‑LED芯片的图像；根据所拍摄图像判断所述生长基板上是否存在不符合配置要求的Micro‑LED芯片；若存在不符合配置要求的Micro‑LED芯片，将不符合配置要求的Micro‑LED芯片从所述生长基板上移除。本发明通过检测出不符合配置要求的Micro‑LED芯片，进而移除不符合配置要求的Micro‑LED芯片，以此完成对生长基板上Micro‑LED芯片的筛选，保证生长基板上只剩余符合配置要求的Micro‑LED芯片。

技术领域

本发明涉及显示芯片技术领域，尤其涉及的是一种检测处理方法、系统及存储介质。

背景技术

Micro-LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。

利用Micro-LED芯片制成的显示面板，具有良好的稳定性、寿命、以及运行温度上的优势，同时也继承了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点，具有极大的应用前景。

在制作显示面板时，需要将多个Micro-LED芯片分别转移到对应电路板的像素区域上，电路板的每个像素区域包括红、绿、蓝三色，对应三个颜色的Micro-LED芯片。若红、绿、蓝Micro-LED芯片中任意一个芯片没有达到正常Micro-LED芯片的质量标准，即为不符合配置要求的Micro-LED芯片，则不能在显示面板上正常显示，显示面板上对应的像素区域会呈现黑点，影响红、绿、蓝三色的色彩混合，影响显示面板上的成像效果，现有技术无法精确检测到不符合配置要求的Micro-LED芯片所在的位置，且没有对不符合配置要求的Micro-LED芯片的处理措施。

因此，现有技术存在缺陷，有待改进与发展。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种检测处理方法、系统及存储介质，旨在解决现有技术中的将Micro-LED芯片转移到电路板上时，无法精确检测到不符合配置要求的Micro-LED芯片，且没有对不符合配置要求的Micro-LED芯片采取对应的处理措施的问题。

本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：

一种检测处理方法，其中，包括：

激光照射生长基板；

拍摄设置在所述生长基板上至少一个Micro-LED芯片的图像；

根据所拍摄图像判断所述生长基板上是否存在不符合配置要求的Micro-LED芯片；

若存在不符合配置要求的Micro-LED芯片，将不符合配置要求的Micro-LED芯片从所述生长基板上移除。

进一步地，所述Micro-LED芯片包括：

N型半导体层；

在所述N型半导体层上同侧设置有N型电极和作动层；

在所述作动层上逐层设置有P型半导体层和P型电极。

进一步地，所述不符合配置要求的Micro-LED芯片具体为：Micro-LED芯片上N型电极和P型电极的位置和尺寸，与预先设定的N型电极和P型电极的位置和尺寸不符。

进一步地，所述N型电极和P型电极背离所述N型半导体层的一端平齐，且分别设置有焊料。

进一步地，所述Micro-LED芯片设置在生长基板的第一侧面上；

所述激光器靠近所述生长基板的第二侧面设置；