[发明专利]光接收元件和测距模块在审
申请号: | 201980003594.2 | 申请日: | 2019-07-04 |
公开(公告)号: | CN110959195A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 丸山卓哉;矶谷优治;井本努;村瀬拓郎;渡辺竜太 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G03B15/00;H01L31/02;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收 元件 测距 模块 | ||
1.一种光接收元件,其包括:
第一电压施加单元,其被施加电压;
第一电荷检测单元,其布置在所述第一电压施加单元的周边;
第二电压施加单元,其被施加电压;
第二电荷检测单元,其布置在所述第二电压施加单元的周边;
第三电压施加单元,其被施加第一电压;以及
电压控制单元,其将第二电压施加到所述第一电压施加单元和所述第二电压施加单元中的一者,并使得另一者处于浮动状态,所述第二电压与所述第一电压不同。
2.根据权利要求1所述的光接收元件,还包括:
片上透镜;
配线层;以及
半导体层,其布置在所述片上透镜和所述配线层之间,其中,
所述第一电压施加单元、所述第一电荷检测单元、所述第二电压施加单元和所述第二电荷检测单元形成在所述半导体层中。
3.根据权利要求2所述的光接收元件,其中,
所述配线层包括至少一个具有反射元件的层,并且
所述反射元件设置为在平面图中覆盖所述第一电荷检测单元或所述第二电荷检测单元。
4.根据权利要求2所述的光接收元件,其中,
所述配线层包括至少一个具有遮光元件的层,并且
所述遮光元件设置为在平面图中覆盖所述第一电荷检测单元或所述第二电荷检测单元。
5.根据权利要求1所述的光接收元件,其中,
所述电压控制单元交替地切换所述第一电压施加单元和所述第二电压施加单元中的被施加所述第二电压的一者和使得处于浮动状态的一者。
6.根据权利要求1所述的光接收元件,其中,
所述电压控制单元在第一模式和第二模式之间切换,在所述第一模式中,将所述第二电压施加到所述第一电压施加单元和所述第二电压施加单元中的一者,并使另一者处于浮动状态,在所述第二模式中,将所述第二电压施加到所述第一电压施加单元和所述第二电压施加单元中的一者,并将第三电压施加到另一者,所述第三电压与所述第二电压不同。
7.根据权利要求2所述的光接收元件,其中,
所述第三电压施加单元是形成于所述半导体层在所述片上透镜侧的表面上的透明电极。
8.根据权利要求2所述的光接收元件,其中,
所述第三电压施加单元是形成于所述半导体层中的像素边界处的像素隔离单元。
9.根据权利要求2所述的光接收元件,还包括:
第一像素隔离单元,其被施加电压,所述第一像素隔离单元形成于在所述半导体层中所述第一电压施加单元和所述第二电压施加单元的布置方向上、在所述第一电压施加单元侧的像素边界处;以及
第二像素隔离单元,其被施加电压,所述第二像素隔离单元形成于在所述半导体层中所述方向上、在所述第二电压施加单元侧的像素边界处。
10.根据权利要求9所述的光接收元件,其中,
所述电压控制单元将所述第二电压施加到所述第一电压施加单元和所述第一像素隔离单元,并使得所述第二电压施加单元和所述第二像素隔离单元处于浮动状态,或者,所述电压控制单元将所述第二电压施加到所述第二电压施加单元和所述第二像素隔离单元,并使得所述第一电压施加单元和所述第一像素隔离单元处于浮动状态。
11.根据权利要求9所述的光接收元件,还包括:
第三像素隔离单元,其被施加电压,所述第三像素隔离单元形成于在所述半导体层中垂直于所述方向的方向上的像素边界处。
12.根据权利要求11所述的光接收元件,其中,
所述第一电压被施加到所述第三像素隔离单元。
13.根据权利要求11所述的光接收元件,其中,
所述第三电压施加单元是所述第三像素隔离单元。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的