[发明专利]磁阻随机存取存储器

权利要求书

1.一种磁存储器件，包括：

包括金属材料的芯元件，所述芯元件的两端被配置为分别电耦合至第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和所述第二电极分别电耦合到存储系统的两条单独的位线；

包围所述芯元件的自由层，所述自由层的磁化方向能够在沿所述芯元件流动的电流的影响下在第一方向和第二方向之间切换；

包围所述自由层的阻挡层，所述阻挡层包括电绝缘材料；

参考层，其包围所述阻挡层并被配置为电耦合至第三电极，所述参考层的磁化方向保持沿所述第一方向或所述第二方向；以及

调整机构，其被配置为当来自所述两条单独的位线的输出电流的读数之间的差大于阈值时，调整所述两条单独的位线中的至少一条。

2.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述芯元件包括圆柱元件。

3.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述自由层、所述阻挡层和所述参考层形成三个同心圆柱结构。

4.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述阻挡层是非磁性的。

5.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述第一电极或所述第二电极中的至少一个电耦合至存储系统的位线。

6.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述调整机构被配置为调整所述两条单独的位线中的所述至少一条的容量。

7.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述自由层包括第一铁磁层，并且所述参考层包括第二铁磁层。

8.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述自由层包括Co₂Fe₆B₂。

9.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述阻挡层包括MgO。

10.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述参考层包括Co₂Fe₆B₂。

11.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述芯元件包括钨。

12.一种用于操作包括第一电极、第二电极和第三电极的存储器件的方法，包括：

经由所述第三电极向所述存储器件施加读取输入电流；

分别经由所述第一电极和所述第二电极读取第一输出电流和第二输出电流；以及

对所述第一输出电流和所述第二输出电流之间的差与阈值进行比较，以确定存储在所述存储器件中的数据是否可信，

其中，所述第一电极和所述第二电极分别耦合至两条单独的位线；

所述方法还包括：

响应于所述差大于所述阈值，调整所述两条单独的位线中的至少一条以减小所述差。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，调整所述两条单独的位线中的所述至少一条包括：调节所述两条单独的位线中的所述至少一条的容量。

14.根据权利要求12所述的方法，

其中，所述存储器件是磁存储器件，所述磁存储器件包括：

包括金属材料的芯元件，所述芯元件的两端被配置为分别电耦合至所述第一电极和所述第二电极；

包围所述芯元件的自由层，所述自由层的磁化方向能够在沿所述芯元件流动的电流的影响下在第一方向和第二方向之间切换；

包围所述自由层的阻挡层，所述阻挡层包括电绝缘材料；以及

参考层，其包围所述阻挡层并电耦合至所述第三电极，所述参考层的磁化方向保持沿所述第一方向或所述第二方向；

该方法还包括：

经由所述第一电极和所述第二电极沿着所述芯元件施加写入电流，以使所述自由层的所述磁化方向沿着所述第一方向或所述第二方向对准，以将所述数据写入所述磁存储器件。