[发明专利]一种发光二极体组件及其制备方法、显示器的制备方法

说明书

本发明公开了一种发光二极体组件及其制备方法、显示器的制备方法，所述发光二极体组件包括：基板、设置在所述基板上的至少两个发光二极体、嵌设在所述基板内的阻光件；所述阻光件位于位于相邻两个发光二极体之间。本发明中的发光二极体组件不需要去除或切割基板，在基板上设置阻光件和发光二极体后，可以直接将发光二极体与背板连接，由于基板的尺寸远大于单个发光二极体的尺寸，不需要进行巨量转移，只需要将发光二极体组件最边缘的两个电极与背板的对应电极对准，并实现发光二极体与背板的连接，降低了现有技术中发光二极体与背板需要通过巨量转移并进行连接的难度。

技术领域

本发明涉及发光二极体组件技术领域，尤其涉及的是一种发光二极体组件及其制备方法、显示器的制备方法。

背景技术

如图1所示，Micro-LED通常采用如下制备方法，首先在基板10上生长功能层(21、22、23、24、25)，然后将基板去除，或者将基板切割形成发光二极体20，最后通过巨量转移将发光二极体20转移到背板40上，连接背板40上的电路。

现有技术中，不论是将基板10去除还是将基板10切割形成发光二极体20，由于发光二极体20的尺寸较小，数量较大，通过巨量转移的方式将发光二极体20连接到背板40上难度较大。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种发光二极体组件及其制备方法、显示器的制备方法，旨在解决现有技术中通过巨量转移的方式将发光二极体连接到背板上难度较大的问题。

本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：

一种发光二极体组件，其中，包括：基板、设置在所述基板上的至少两个发光二极体、嵌设在所述基板内的阻光件；所述阻光件位于相邻两个发光二极体之间。

所述发光二极体组件，其中，其还包括设置在所述基板上的导热件，所述导热件位于相邻两个发光二极体之间。

所述发光二极体组件，其中，所述导热件采用导热遮光胶制成。

所述的发光二极体组件，其中，所述基板上设置有凹槽，所述阻光件位于所述凹槽内。

所述的发光二极体组件，其中，在所述发光二极体的厚度方向上，所述凹槽的高度比所述发光二极体的厚度小5-10μm。

所述的发光二极体组件，其中，所述凹槽采用雷射切割形成。

所述的发光二极体组件，其中，所述阻光件采用遮光材料制成。

所述的发光二极体组件，其中，所述发光二极体包括：与所述基板依次连接的N型半导体层、发光层、P型半导体层、第一电极，以及与所述N型半导体层连接的第二电极。

一种如上述任意一项所述的发光二极体组件的制备方法，其中，包括步骤：

提供一基板；

在所述基板上制备发光二极体；

在所述基板上制备阻光件。

所述的发光二极体组件的制备方法，其中，所述在所述基板上制备阻光件，包括：

采用雷射切割在所述基板上形成凹槽，并在所述凹槽中填充遮光材料得到阻光件。

所述的发光二极体组件的制备方法，其中，所述在所述基板上制备发光二极体，包括：

在所述基板上依次制备N型半导体层、发光层、P型半导体层、第一电极；

在所述N型半导体层上制备第二电极得到发光二极体。

所述的发光二极体组件的制备方法，其中，所述的发光二极体组件的制备方法还包括：