[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，其是具备半导体基板的半导体装置，

所述半导体装置具备：

晶体管部和二极管部，其设置于所述半导体基板；

多个焊盘，其设置在所述半导体基板的上表面的上方，并且在设置有所述晶体管部或所述二极管部的区域与所述半导体基板的上表面的第一端边之间，沿着排列方向排列；以及

栅极流道部，其向所述晶体管部传递栅极电压，

所述晶体管部具有在俯视下沿与所述排列方向不同的延伸方向延伸地设置的栅极沟槽部，

所述栅极流道部具有：

第一栅极流道，其设置为在俯视下通过所述半导体基板的所述第一端边与至少一个焊盘之间；以及

第二栅极流道，其设置为在俯视下通过至少一个焊盘与所述晶体管部之间，

所述晶体管部还设置在俯视下被两个焊盘夹持的焊盘间区域中的至少一个焊盘间区域，

设置在所述焊盘间区域的所述栅极沟槽部与所述第一栅极流道连接，

在所述延伸方向上与所述第二栅极流道对置地配置的所述栅极沟槽部与所述第二栅极流道连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二栅极流道沿至少一个焊盘的至少两条边而设置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视下，所述焊盘与所述第二栅极流道之间的距离是200μm以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述二极管部具有在所述半导体基板的下表面露出的第一导电型的阴极区，

在所述焊盘间区域不设置所述阴极区。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部具有第一导电型的发射区，所述发射区在所述半导体基板的上表面露出，并且与所述栅极沟槽部接触，

所述半导体装置具备发射电极，所述发射电极设置在所述半导体基板的上表面的上方，并且与所述发射区连接，

所述二极管部具有虚设沟槽部，所述虚设沟槽部沿所述延伸方向延伸而设置，并且与所述发射电极连接，

在所述延伸方向上与所述焊盘间区域对置地配置的虚设沟槽部以延伸到所述焊盘间区域的方式设置。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部具有第一导电型的发射区，所述发射区在所述半导体基板的上表面露出，并且与所述栅极沟槽部接触，

所述半导体装置具备发射电极，所述发射电极设置在所述半导体基板的上表面的上方，并且与所述发射区连接，

所述二极管部具有：

第一导电型的阴极区，其在所述半导体基板的下表面露出；以及

虚设沟槽部，其沿所述延伸方向延伸地设置，并且与所述发射电极连接，

在至少一个所述焊盘间区域设置有所述阴极区和所述虚设沟槽部。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部具有第一导电型的发射区，所述发射区在所述半导体基板的上表面露出，并且与所述栅极沟槽部接触，

在设置于所述焊盘间区域的所述栅极沟槽部中，至少在离所述焊盘最近的所述栅极沟槽部，在所述焊盘间区域不设置所述发射区，或者以不接触的方式设置所述发射区。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部具有第一导电型的发射区，所述发射区在所述半导体基板的上表面露出，并且与所述栅极沟槽部接触，

所述半导体装置具有：

发射电极，其设置在所述半导体基板的上表面的上方，并且与所述发射区连接；以及

层间绝缘膜，其设置在所述半导体基板与所述发射电极之间，

在设置于所述焊盘间区域的所述栅极沟槽部中的离所述焊盘最近的所述栅极沟槽部与所述焊盘之间，在所述层间绝缘膜设置有将所述发射电极与所述半导体基板连接的接触孔。