[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201980004103.6 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN111066145B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 仲村秀世;堀元人;稻叶祐树 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/02;H01L23/48;H01L25/18;H10B80/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 周春燕;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
本发明提供一种降低电感的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备:第一电路基板在(3),其具有第一电路图案层(3c);半导体元件(5),其搭载于第一电路图案层(3c);第二电路基板(9),其具有第二电路图案层(9b);连接销(7),其连接半导体元件(5)与第二电路图案层(9b);销状端子(17),其与第二电路图案层(9b)电连接;密封部件(2),其树脂密封第一电路基板(3)、半导体元件(5)、第二电路基板(9)以及连接销(7);以及外部端子(27),其具有平板部(27s)、以及从平板部(27s)弯曲而向与第二电路基板(9)分离的方向延伸的延伸部(27t),平板部(27s)与销状端子(17)连接并与第二电路图案层(9b)平行地配置,并且,延伸部(27t)设置在密封部件(2)的短边方向上的宽度的范围内。
技术领域
本发明涉及一种半导体装置。
背景技术
功率半导体装置(简称为半导体装置)例如构成为如下。即,在两面设置有铜(Cu)、铝(Al)等导电箔的陶瓷制的电路基板的主面上搭载绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)等半导体元件。在半导体元件之上重叠印刷基板,通过插入到该印刷基板的多个销状端子而将半导体元件的表面电极与形成于主面的导电箔的电路图案电连接,并且在该电路图案上立设外部端子。利用环氧树脂等热固化性树脂进行塑模而将电路基板密封于硬质的壳体内,并且使外部端子的前端突出而将电极从壳体导出,从而使电路基板的另一面从壳体露出(例如,参照专利文献1)。在这样的半导体装置中,通过利用印刷基板和插入到该印刷基板的销状端子来代替键合线而将半导体元件与电路基板上的电路图案电连接,从而使半导体装置小型化,布线路径随此变短,因此布线电感变小,进而能够高速动作。另外,通过将各部分结构密封于硬质的壳体内,从而提高功率循环等可靠性。
例如在专利文献2至专利文献4中公开了如下结构:为了使半导体装置大容量化,使用母线将一个输出功率大的半导体装置与多个输出功率小的半导体装置并联连接,使具有能够螺纹紧固的外部端子的盖体以覆盖整个这些多个半导体装置的方式进行覆盖的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2014/061211号
专利文献2:国际公开第2013/145619号
专利文献3:国际公开第2013/146212号
专利文献4:国际公开第2013/145620号
发明内容
技术问题
然而,如专利文献2至专利文献4那样,存在如下问题:在电流流通于在横穿横向并列的多个半导体模块之间的方向上配置的母线,并且模块内的导体的电流沿半导体模块的长边方向流通的情况下,母线的电流方向与模块内的导体的电流正交,不能够降低这两个方向的电流之间的互感。
另外,发明者发现从半导体模块上表面突出而与外部端子连接的销状端子由于与外部端子相比截面积小,所以若该部分的布线长度长则电感容易变大。
技术方案
(项目1)
在本发明的一个方式中,提供一种半导体装置。半导体装置可以具备具有第一电路图案层的第一电路基板。半导体装置可以具备搭载于第一电路图案层的半导体元件。半导体装置可以具备具有第二电路图案层的第二电路基板。半导体装置可以具备将半导体元件与第二电路图案层连接的连接销。半导体装置可以具备与第二电路图案层电连接的销状端子。半导体装置可以具备树脂密封第一电路基板、半导体元件、第二电路基板以及连接销的密封部件。半导体装置可以具备外部端子,所述外部端子具有平板部、以及从平板部弯曲而向与第二电路基板分离的方向延伸的延伸部。平板部可以与销状端子连接,并与第二电路图案层平行地配置。延伸部可以设置在密封部件的短边方向上的宽度的范围内。
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