[发明专利]一种半导体元件巨量转移方法和系统有效
申请号: | 201980004149.8 | 申请日: | 2019-12-03 |
公开(公告)号: | CN113207311B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 张朋月;黄嘉桦;陈淑枝;陈柏辅;郑士嵩;林子平 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L33/48 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 元件 巨量 转移 方法 系统 | ||
1.一种半导体元件的巨量转移系统,其特征在于,用于将设置于临时基板且携带有电荷的半导体元件转移至目标基板,所述转移系统包括:
加速设备,设置具有沿第一方向的加速电场,所述加速设备沿所述第一方向还设置有与所述加速电场连通的第一入口和第一出口,所述第一入口用于对准需要转移至所述目标基板的目标半导体元件,所述加速设备用于将所述目标基板的所述目标半导体元件在所述加速电场的作用下进入所述第一入口,并从所述第一出口穿出;
旋转设备,所述旋转设备设有沿第二方向的磁场、以及与所述磁场连通的第二入口和第二出口,所述第二入口与所述第一出口对准;所述旋转设备用于从所述第二入口接收自所述第一出口穿出的所述目标半导体元件进入所述磁场,并沿着相应的运动轨迹穿出所述第二出口,所述运动轨迹与所述第二方向垂直,所述第二出口能够用于与所述目标基板上所述目标半导体元件待转移的位置对应。
2.如权利要求1所述的巨量转移系统,其特征在于,所述巨量转移系统还包括用于使所述目标半导体元件运动速度减小到安全速度阈值的减速设备,所述减速设备设置有沿第三方向的减速电场、以及沿着所述第三方向设置且与所述减速电场连通的第三入口和第三出口,所述第三入口与所述第二出口对准,所述减速设备用于从所述第三入口接收自所述第二出口穿出的所述目标半导体元件进入所述减速电场,并从所述第三出口穿出,所述第三出口用于与所述目标基板上所述目标半导体元件待转移的位置对应。
3.如权利要求1所述的巨量转移系统,其特征在于,所述目标半导体元件为多个。
4.如权利要求3所述的巨量转移系统,其特征在于,所述第一入口和所述第一出口分别包括间隔设置于所述加速设备相对两端且用于与所述目标半导体元件一一对应的多个开口。
5.如权利要求3所述的巨量转移系统,其特征在于,所述第二入口和所述第二出口为设置于所述旋转设备同一端的多个开口。
6.如权利要求2所述的巨量转移系统,其特征在于,所述目标半导体元件为多个。
7.如权利要求6所述的巨量转移系统,其特征在于,所述第三入口和所述第三出口分别包括间隔设置于所述减速设备相对两端且用于与所述目标半导体元件一一对应的多个开口。
8.如权利要求1所述的巨量转移系统,其特征在于,所述旋转设备还设有反重力电场,用于使所述目标半导体元件在所述旋转设备中受反重力电场力等于其重力。
9.如权利要求2所述的巨量转移系统,其特征在于,所述第一入口和所述第一出口呈直线状排列于所述加速设备、所述第二入口和所述第二出口呈直线状排列于所述旋转设备、所述第三入口和所述第三出口呈直线状排列于所述减速设备。
10.如权利要求2所述的巨量转移系统,其特征在于,所述第一入口和所述第一出口呈矩阵状排列于所述加速设备、所述第二入口和所述第二出口呈矩阵状排列于所述旋转设备、所述第三入口和所述第三出口呈矩阵状排列于所述减速设备。
11.如权利要求1所述的巨量转移系统,其特征在于,所述半导体元件包括微型发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造