[发明专利]复合式微型发光二极管、显示面板、及电子设备

说明书

本发明提供了一种复合式微型发光二极管,该复合式微型发光二极管包括第一微型发光二极管和第二微型发光二极管；第一微型发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层以及第一量子阱层；第二微型发光二极管包括第三半导体层、第四半导体层以及第二量子阱层；第一半导体层和所述第四半导体层具有第一极性，第二半导体层和第三半导体层具有第二极性；第二半导体层和第三半导体层材质相同，第二半导体层和第三半导体层结合于一起以使得第一微型发光二极管和第二微型发光二极管结合于一起；第一量子阱层和第二量子阱层参杂的材质不同。此外，本发明还提供了一种显示面板和电子设备。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种复合式微型发光二极管、显示面板、及电子设备。

背景技术

发光二极管(LED)通常通过单色光之LED搭配波长转换物质产生白光效果，如红色LED、蓝色LED或绿色LED分别通过搭载量子点层、荧光粉层或磷光体层的方式产生白光效果,或者透过晶圆转接(wafer transfer)方式将不同材料的芯片压焊在一起，使得原本发出不同光线的芯片组合，以发出复合光线。

例如，材质为GaN的半导体层用于制作绿色Micro LED或蓝色Micro LED，材质为GaAsP的半导体层用于制作红色Micro LED。将两种发出不同单色光的芯片通过压焊的工艺方式进行封装，使得可以发出复合光线。即，不同单色光的采用的材料也不同。

又例如，当半导体层的材质为GaN时，半导体器件可以发出蓝光或绿光。当将两个同为蓝色或同为绿色的芯片压焊在一起时，现有技术中结合面分别为N型半导体层和P型半导体层，N型半导体层的主要成分为Si，P型半导体层的主要成分为Mg。即，N型半导体层和P型半导体层的材料不同。

现有技术中，将两个微型发光二极管芯片压焊于一起产生复合光线的制作方法中，结合面的材料不同，晶格系数并不匹配，容易导致压焊过程中出现微型发光二极管芯片破裂的现象。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种复合式微型发光二极管，可以防止微型发光二极管断裂。

此外，还有必要提供使用上述复合式微型发光二极管的显示面板和电子设备。

第一方面，本发明实施例提供一种复合式微型发光二极管。该复合式微型发光二极管包括第一微型发光二极管和第二微型发光二极管；所述第一微型发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层以及设置于第一半导体层和第二半导体层之间的第一量子阱层；所述第二微型发光二极管包括第三半导体层、第四半导体层、以及设置于所述第三半导体层和所述第四半导体层之间的第二量子阱层；所述第一半导体层和所述第四半导体层具有第一极性；所述第二半导体层和所述第三半导体层具有第二极性，所述第二半导体层和所述第三半导体层材质相同，且所述第二半导体层和所述第三半导体层结合于一起以使得所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管结合于一起；所述第一量子阱层和所述第二量子阱层的材料不同。

第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，其包括电路板以及上述复合式微型发光二极管，上述复合式微型发光二极管安装于所述电路板。

第三方面，本发明实施例提供一种电子设备，其包括上述显示面板以及固定所述显示面板的壳体。

上述复合式微型发光二极管，由于第一微型发光二极管和第二微型发光二极管具有相同极性和材质的第二半导体层和第三半导体层结合，从而避免出现第一微型发光二极管和第二微型发光二极管因使用不同材质的两个半导体层结合而导致破裂的问题，从而提高了复合式微型发光二极管的良率。另外，第一量子阱层和第二量子阱层由于采用不同的材料，从而导致第一微型发光二极管和第二微型发光二极管产生不同波长的光，从而实现复合式微型发光二极管发射复合光线。

附图说明

图1为第一实施方式的复合式微型发光二极管示意图。

图2为第一实施方式的复合式微型发光二极管第一实施例的示意图。