[发明专利]用于无掩模OLED沉积和制造的方法有效

专利信息
申请号: 201980004486.7 申请日: 2019-01-18
公开(公告)号: CN111095593B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 约翰·哈默;杰弗里·斯宾德勒 申请(专利权)人: OLED沃克斯有限责任公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52;F21K9/90
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;王艳春
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 无掩模 oled 沉积 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于在具有长度维度和宽度维度的基板上制作OLED照明面板的方法,所述方法包括以下步骤:

-在所述基板上方图案化第一电极层,使得所述基板的一些部分不被所述第一电极层覆盖;

-至少部分地在所述第一电极层上方图案化无机绝缘层,使得:

a)所述无机绝缘层包围所述第一电极层的封闭区,其中所述无机绝缘层的部分是在所述宽度维度上并且具有至少一个水平厚度HTW-iil,并且所述无机绝缘层的部分是在所述长度维度上并且具有至少一个水平厚度HTL-iil

b)其中在所述长度维度或宽度维度上的所述部分中的一者的至少一部分的水平厚度大于相同维度或另一维度的至少一部分大的水平厚度;以及

c)所述无机绝缘层被布置成使得所述第一电极层的至少一些部分位于所述封闭区的外部、与无机绝缘层的水平厚度较大的部分相邻,并且所述基板的至少一些部分位于所述封闭区的外部、与无机绝缘层的水平厚度较小的部分相邻;

-在所述基板上沿着长度和宽度沉积用于发射光的至少一个有机层;

-移除密封区域上方的至少一个有机层;所述密封区域部分地位于所述无机绝缘层上方,其中:

a)所述密封区域的至少一部分的水平厚度(HTW-s或HTL-s)小于所述无机绝缘层的至少一部分的水平厚度(HTW-iil或HTL-iil),使得所述密封区域的所述至少一部分完全地位于所述无机绝缘层的水平厚度较大的所述部分中的至少一者上方;以及

b)其中所述密封区域的至少另一部分(HTW-s或HTL-s)部分地位于无机绝缘层的水平厚度较小的所述部分(HTW-iil或HTL-iil)上方并且至少部分地位于在所述封闭区的相对侧上的所述基板的部分上方;以及

-在所述基板上沿着长度和宽度沉积第二电极层。

2.如权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:在所述第二电极层上沿着整个长度和宽度沉积钝化层。

3.如权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:至少在所述封闭区和密封区域上方沉积薄膜封装或层压型封装。

4.如权利要求3所述的方法,其中,单个基板上存在一个以上封闭区,以及

在所述封装之后还包括以下步骤:将所述基板分成至少两个单独区段,每个区段含有至少一个封装的封闭区。

5.如权利要求1所述的方法,其中,通过激光处理从所述密封区域移除所述至少一个有机层。

6.如权利要求1所述的方法,其中,所述密封区域的所述水平厚度始终相同(HTW-s=HTL-s)。

7.如权利要求1所述的方法,其中,所述密封区域的所述水平厚度沿着单个维度恒定。

8.如权利要求1所述的方法,其中,所述密封区域的所述水平厚度沿着单个方向变化。

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