[发明专利]等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法

说明书

在例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，在腔室内设置有基板支承台和聚焦环。聚焦环在基板支承台上包围基板。聚焦环具有第一区域和第二区域。第一区域包括聚焦环的内侧上表面。第二区域包括聚焦环的外侧上表面。内侧上表面延伸至比外侧上表面更靠近聚焦环的中心轴线的位置。聚焦环构成为：在腔室内生成等离子体期间，使第一区域的负极性的直流偏置电位的绝对值比第二区域的直流电位的绝对值高。

技术领域

本公开的例示性的实施方式涉及一种等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法。

背景技术

在电子器件的制造中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室和基板支承台。基板支承台设置于腔室内。基板支承台具有下部电极。下部电极与高频电源连接。在基板支承台上搭载聚焦环。基板支承台支承被载置于其上的基板。基板配置于被聚焦环包围的区域内。在专利文献1中记载了这样的等离子体处理装置。

专利文献1所记载的等离子体处理装置还具备直流电源。直流电源与聚焦环电连接，以调整聚焦环的偏置电压。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-258417号公报

发明内容

发明要解决的问题

在使用等离子体处理装置进行的等离子体蚀刻中，要求抑制对于基板的中央区域的蚀刻速率的影响，并且控制基板的边缘区域的蚀刻速率。

用于解决问题的方案

在一个例示性的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承台、高频电源以及聚焦环。基板支承台具有下部电极，所述基板支承台设置于腔室内。高频电源与下部电极电连接。聚焦环在基板支承台上包围基板。聚焦环具有第一区域和第二区域。第一区域包括聚焦环的内侧上表面。第二区域包括聚焦环的外侧上表面。内侧上表面和外侧上表面绕聚焦环的中心轴线沿周向延伸。内侧上表面延伸至比外侧上表面更靠近中心轴线的位置。聚焦环构成为：在腔室内生成等离子体期间，使第一区域的负极性的直流偏置电位的绝对值比第二区域的直流电位的绝对值高。

发明的效果

根据一个例示性的实施方式，能够抑制对于基板的中央区域的蚀刻速率的影响，并且控制基板的边缘区域的蚀刻速率。

附图说明

图1是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图2是将一个例示性的实施方式所涉及的聚焦环的一部分与图1所示的等离子体处理装置的基板支承台的一部分一同示出的放大截面图。

图3是表示使用图2所示的聚焦环的情况下的等离子体和鞘的一例的图。

图4是表示使用参考例的聚焦环的情况下的等离子体和鞘的一例的图。

图5是将其它例示性的实施方式所涉及的聚焦环的一部分与图1所示的等离子体处理装置的基板支承台的一部分一同示出的放大截面图。

图6是将另一其它例示性的实施方式所涉及的聚焦环的一部分与图1所示的等离子体处理装置的基板支承台的一部分一同示出的放大截面图。

图7是表示一个例示性的实施方式所涉及的等离子体蚀刻方法的流程图。

图8是表示一个例示性的实施方式所涉及的决定下限值的方法的流程图。