[发明专利]发光机构及背光模块

权利要求书

1.一种发光机构，其特征在于包括：

至少一个发光二极管，其具有上方出光面及侧边发光面；

光学单元，位于所述发光二极管上；及

至少一个调光单元，设置于所述光学单元上且与所述发光二极管对应设置，所述调光单元包括位于相对应的所述发光二极管的所述上方出光面的正上方的遮光组件，所述遮光组件的尺寸大于或等于其正下方的发光二极管的尺寸，且相邻的遮光组件不互相接触，其中

所述遮光组件的尺寸满足下列关系式：0.45×P×W×10^-3≤ A＜5×P×W×10^-3，其中，定义A为所述遮光组件的尺寸，P为相邻发光二极管的间距，W为所述发光二极管的宽度，

所述发光二极管的所述侧边发光面所发散的光线，会直接经由所述光学单元出光。

2.根据权利要求1所述的发光机构，其特征在于，所述遮光组件的尺寸大于其正下方的发光二极管的尺寸，且符合以下公式：2×H×tanθ≤ A，其中，H为所述光学单元与所述发光二极管之间的距离，θ为所述发光二极管的放射角度，A为所述遮光组件的尺寸。

3.根据权利要求2所述的发光机构，其特征在于，所述调光单元设置在所述光学单元的面向所述发光二极管的一侧。

4.根据权利要求1所述的发光机构，其特征在于，所述调光单元设置在所述光学单元的背向所述发光二极管的一侧，所述遮光组件的尺寸大于其正下方的发光二极管的尺寸，且符合以下公式：2×(H+T1)×tanθ≤ A，其中，T1为所述光学单元位于所述发光二极管正上方的厚度，H为所述光学单元与所述发光二极管之间的距离，θ为所述发光二极管的放射角度，A为所述遮光组件的尺寸。

5.根据权利要求4所述的发光机构，其特征在于，所述光学单元具有上表面及下表面，所述下表面具有至少一个凹槽，所述光学单元以所述凹槽覆盖于所述发光二极管上且不与所述发光二极管接触，所述发光二极管的底面低于所述光学单元的底面，所述调光单元设置在所述光学单元的所述上表面，H为所述光学单元的凹槽表面与所述发光二极管的表面之间的距离。

6.根据权利要求1所述的发光机构，其特征在于，所述光学单元覆盖于所述发光二极管上，且所述发光二极管的底面齐平于所述光学单元的底面，所述调光单元设置在所述光学单元的背向所述发光二极管的一侧，所述遮光组件的尺寸符合以下公式：2×(T1-T2)×tanθ≤ A，其中，T1为所述光学单元的厚度，T2为所述发光二极管的厚度，θ为所述发光二极管的放射角度，A为所述遮光组件的尺寸。

7.根据权利要求6所述的发光机构，其特征在于，所述光学单元直接贴覆且接触于所述发光二极管上。

8.根据权利要求1所述的发光机构，其特征在于，定义A为所述遮光组件的尺寸，P为相邻发光二极管的间距，W为所述发光二极管的宽度，更进一步满足下列关系式：1×P×W×10^-3≤ A≤ 2.7×P×W×10^-3。

9.根据权利要求1所述的发光机构，其特征在于，所述光学单元具有上表面及下表面，所述下表面具有至少一个凹槽，所述光学单元以所述凹槽覆盖于所述发光二极管上且不与所述发光二极管接触。

10.根据权利要求9所述的发光机构，其特征在于，所述遮光组件具有至少一个贯穿孔，以使下方的发光二极管的光线能由所述贯穿孔向上出光。

11.根据权利要求10所述的发光机构，其特征在于，所述遮光组件具有位于相对应的所述发光二极管正上方的中心，及复数个环绕所述中心间隔排列的贯穿孔。

12.根据权利要求10所述的发光机构，其特征在于，所述遮光组件具有位于相对应的所述发光二极管正上方的中心，所述贯穿孔位于所述中心位置。