[发明专利]真空蒸镀装置用蒸镀源

说明书

本发明提供一种真空蒸镀装置用蒸镀源，其在蒸镀升华性材料时，可增加每单位时间的升华量，对被蒸镀物的蒸镀率高。本发明的真空蒸镀装置(Dm)用蒸镀源(DS)，其是配置在真空室(1)内，用于使升华性有机材料(7)升华并对被蒸镀物(Sw)进行蒸镀的真空蒸镀装置用蒸镀源，其具有：上表面开口(4)，其具有朝向被蒸镀物(Sw)喷出升华的材料的坩埚(41)；筒状体(5)，其与该上表面开口(4)的壁面留出间隔地插入上表面开口(4)中并收纳升华性材料；以及加热单元(Ht)，其可加热筒状体(5)内的材料；筒状体(5)上开设有容许升华的材料连通的多个网眼(52)。

技术领域

本发明涉及一种配置在真空室内，用于使升华性材料升华并对被蒸镀物进行蒸镀的真空蒸镀装置用蒸镀源。

背景技术

例如，在有机EL元件的制造工序中，存在使喹啉铝配合物(Alq₃)和芳香族二胺等升华性材料(有机材料)在真空气氛中蒸镀到基板等被蒸镀物上的工序，在该蒸镀工序中，广泛使用了真空蒸镀装置。这种真空蒸镀装置中使用的蒸镀源例如在专利文献1中已知。该装置中具有：在垂直方向上表面开口的坩埚；以及加热坩埚的感应线圈等加热单元(参照现有技术栏)。

此处，上述种类的材料通常热导率差，而且不同于经液相而气化的材料，加热时，坩埚内材料不发生对流。因此，采用上述以往例子的蒸发源，当在坩埚内例如填充粉末状的材料，在真空气氛中通过加热单元加热坩埚时，会从与直接传热的坩埚壁面接触的材料开始升华。此时，从面对坩埚的上表面开口的填充的材料的上层部分，升华的材料是经坩埚的上表面开口向被蒸镀物飞散的，但在位于更下方的下层部分处升华的材料与位于其周围的较低温度(换言之，尚未被加热到升华温度)的材料相碰撞返回成固体。结果存在升华的材料只能从有限的范围飞散，从而在相同压力下每单位时间的升华量小，对被蒸镀物的蒸镀率低(即生产率低)的问题。这种情况下，可以考虑升高坩埚的加热温度，但当是喹啉铝配合物和芳香族二胺这类(有机)材料时，如果升高加热温度，则材料在蒸镀源处分解，无法蒸镀出具有决定元件性能的所需薄膜质量的薄膜。由此，近年来需要开发在较低温度下得到高蒸镀率的蒸镀源，作为蒸镀上述种类的升华性材料的真空蒸镀装置的蒸镀源。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】日本专利公开2010－1529号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

鉴于以上内容，本发明要解决的技术问题是提供一种真空蒸镀装置用蒸镀源，其在蒸镀升华性材料时，可增加每单位时间的升华量，对被蒸镀物的蒸镀率高。

解决技术问题的手段

为解决上述技术问题，本发明的真空蒸镀装置用蒸镀源，其是配置在真空室内，用于使升华性材料升华并对被蒸镀物进行蒸镀的真空蒸镀装置用蒸镀源，其特征在于，具有：外容器，其具有朝向被蒸镀物喷出升华的材料的喷出口；内容器，其与该外容器的壁面留出间隔地插入外容器中，收纳升华性材料；以及加热单元，其可加热内容器内的材料；内容器上开设有容许升华的材料连通的多个通孔。