[发明专利]一种用于制作光电半导体芯片的方法及其所使用的键合晶圆

权利要求书

1.一种用于制作光电半导体芯片的方法，包括工艺步骤：

步骤1，提供母晶圆和子晶圆，通过设置在二者之间的中间层键合成为键合晶圆；

步骤2，在键合晶圆靠近子晶圆一侧表面制作外延层；

步骤3，解开中间层，分离母晶圆和子晶圆。

2.根据权利要求1所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：解开后的子晶圆与外延层继续做芯片制程，母晶圆则循环使用。

3.根据权利要求2所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：解开后的母晶圆经过高温退火后循环使用。

4.根据权利要求1所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：解开后的子晶圆从远离外延层的一侧进行减薄。

5.根据权利要求1所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：步骤1键合前在母晶圆和子晶圆相对的一面分别制作中间层或者仅在其中之一制作中间层。

6.根据权利要求1所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：所述母晶圆和子晶圆包括蓝宝石、碳化硅或者砷化镓。

7.根据权利要求1所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：所述子晶圆的厚度为100μm至450μm。

8.根据权利要求1所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：所述母晶圆的厚度为300μm至1500μm。

9.根据权利要求1所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：所述母晶圆和/或子晶圆所能承受的高温环境温度不小于1000℃。

10.根据权利要求1所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：所述中间层包括二氧化硅、氮化铝、氮化镓中的一种或者任意种任意组合。

11.根据权利要求1所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：所述中间层可通过腐蚀工艺移除。

12.根据权利要求1所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：所述母晶圆至少由第一母晶圆和第二母晶圆组成。

13.根据权利要求1所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：对中间层进行活化处理。

14.根据权利要求13所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：活化处理的试剂包括双氧水、氨水或者两者的混合物。

15.根据权利要求13所述的一种用于制作光电半导体芯片的方法，其特征在于：活化处理为干法处理，利用电浆进行活化。

16.一种键合晶圆，作为制作光电半导体芯片的生长衬底，其特征在于：键合晶圆包括母晶圆、子晶圆及位于两者之间的中间层。

17.根据权利要求16所述的一种键合晶圆，其特征在于：所述子晶圆的厚度为100μm至450μm。

18.根据权利要求16所述的一种键合晶圆，其特征在于：所述母晶圆为300μm至1500μm。

19.根据权利要求16所述的一种键合晶圆，其特征在于：所述中间层的厚度为3μm至5μm。

20.根据权利要求16所述的一种键合晶圆，其特征在于：所述子晶圆远离所述母晶圆的一侧表面为光滑面。

21.根据权利要求16所述的一种键合晶圆，其特征在于：所述母晶圆至少由第一母晶圆和第二母晶圆组成。