[发明专利]一种制作半导体发光元件的方法有效
| 申请号： | 201980004736.7 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN111164766B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 贾月华;吴俊毅;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体 发光 元件 方法 | ||
1.一种制作半导体发光元件的方法，其包括：
获得半导体发光序列层，包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层和第三半导体层，第三半导体层作为第一牺牲层在第二导电类型半导体层一侧；
蚀刻第一牺牲层形成多个开口；
制作欧姆接触块在开口内；
在欧姆接触块的上方制作第二牺牲块，所述的欧姆接触块包括上表面、下表面和连接上表面和下表面的侧壁，所述的第二牺牲块仅位于所述的欧姆接触块的上表面上；
蚀刻去除第一牺牲层；
制作氟化物绝缘层覆盖第二导电类型半导体层以及第二牺牲块；
去除多处第二牺牲块，形成氟化物绝缘层和多个欧姆接触块覆盖在第二导电类型半导体层侧。
2.根据权利要求1的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：制作第二掩膜层覆盖第一牺牲层和欧姆接触块；蚀刻第二掩膜层，以在每一欧姆接触块的上方形成第二牺牲块。
3.根据权利要求1的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：第二牺牲块的水平宽度尺寸或面积比欧姆接触块的水平宽度尺寸或面积大。
4.根据权利要求1的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的第一牺牲层、第二牺牲块与欧姆接触块的材料用不同的蚀刻工艺去除。
5.根据权利要求1的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的第二牺牲块的高度为欧姆接触块的高度的2~4倍。
6.根据权利要求1所述的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：第二牺牲块为至少一层不同于第一牺牲层的材料制成。
7.根据权利要求1所述的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：第二牺牲块为能够耐受制作的氟化物绝缘层的温度的材料。
8.根据权利要求1所述的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：第二牺牲块材料为氮化物或氧化物至少一种。
9.根据权利要求1所述的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的半导体发光序列层为MOCVD方法获得。
10.根据权利要求1所述的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的第一牺牲层为铝镓砷或砷化镓。
11.根据权利要求1所述的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的欧姆接触块包括为金锗、金铍、金锗镍或金锌。
12.根据权利要求1所述的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的氟化物绝缘层形成之前对欧姆接触块进行高温熔合处理。
13.根据权利要求1的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的第三半导体层生长在P型导电类型半导体层上。
14.根据权利要求1所述的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：所述的第三半导体层的厚度为至少800埃。
15.根据权利要求1所述的一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于：制作第一电极与第一导电类型半导体层连接、制作第二电极与第二导电类型半导体层连接，第二电极与第二导电类型半导体层之间具有反射镜层，反射镜层覆盖在氟化物绝缘层以及欧姆接触块的同侧。
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