[发明专利]一种激光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种边射型激光二极管，包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活性层，表面具有脊状条的P型层以及DBR覆盖层；其特征在于，所述P型层还包括上波导层，所述脊状条的端面为第一斜面，所述脊状条与所述DBR覆盖层的接触面包括第一斜面，所述第一斜面仅形成在所述脊状条上，所述第一斜面的底部位于所述P型层的所述上波导层中，并且所述第一斜面与所述脊状条的下表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。

2.根据权利要求1所述的一种边射型激光二极管，其特征在于，所述衬底的端面为第二斜面，所述衬底与所述DBR覆盖层的接触面包括第二斜面。

3.根据权利要求2所述的一种边射型激光二极管，其特征在于，所述第二斜面与所述衬底的上表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。

4.根据权利要求1所述的一种边射型激光二极管，其特征在于，所述N型层包括N型金属层。

5.根据权利要求1所述的一种边射型激光二极管，其特征在于，所述P型层包括P型金属层。

6.一种边射型激光二极管的制作方法，其特征在于，包括步骤：

在衬底上依次外延生长N型层、活性层和P型层，并制作带有脊状条的P型层，所述P型层还包括上波导层；

沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂，得到脊状条的端面为第一斜面；

进行DBR覆盖层生长，所述DBR覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述第一斜面，所述第一斜面仅形成在所述脊状条上，所述第一斜面的底部位于所述P型层的所述上波导层中，并且所述第一斜面与脊状条的下表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。

7.根据权利要求6所述的一种边射型激光二极管的制作方法，其特征在于，在得到所述第一斜面的步骤之后还包括：

沿垂直于脊状条长度的方向对所述衬底进行劈裂，得到所述衬底的端面为第二斜面；所述衬底与DBR覆盖层的接触面包括所述第二斜面。

8.根据权利要求6所述的一种边射型激光二极管的制作方法，其特征在于，所述沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂的步骤包括：

在脊状条上制作V字型凹槽或弧形凹槽或开口倒梯形凹槽或前述组合，并沿前述凹槽中间垂直劈裂，形成端面。

9.根据权利要求7所述的一种边射型激光二极管的制作方法，其特征在于，所述沿垂直于脊状条长度的方向对所述衬底进行劈裂的步骤包括：

在衬底上制作V字型凹槽或弧形凹槽或开口倒梯形凹槽或前述组合，并沿前述凹槽中间垂直劈裂，形成端面。

10.根据权利要求8或9所述的一种边射型激光二极管的制作方法，其特征在于，所述V字型凹槽或弧形凹槽或开口倒梯形凹槽或前述组合的槽体长度方向与所述脊状条的长度方向垂直。