[发明专利]等离子处理装置在审
申请号: | 201980005152.1 | 申请日: | 2019-08-05 |
公开(公告)号: | CN112616320A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 森功;伊泽胜;安井尚辉;池田纪彦;山田一也 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柯瑞京 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 | ||
1.一种等离子处理装置,其具备:对试样进行等离子处理的处理室;供给用于生成等离子的高频电力的第一高频电源;载置所述试样的试样台;以及向所述试样台供给高频电力的第二高频电源,所述等离子处理装置的特征在于,还具备:
直流电源,其将直流电压施加给所述试样台,所述直流电压通过周期性重复的波形而变化,
一个周期的所述波形具有在给定时间变化给定量以上的振幅的期间。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述振幅的变化时间以及变化量是使通过所述波形在所述试样产生的电流的最大值的10%以上持续1ms以上的振幅的变化时间以及变化量。
3.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述波形是三角波。
4.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述试样台具备:用于使所述试样静电吸附的电极,
所述直流电压被施加于所述电极。
5.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
当正对所述试样台施加所述直流电压时,将向所述试样台供给的高频电力供给到所述试样台。
6.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述波形的频率是500Hz以下。
7.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述波形是矩形波,
所述矩形波的上升以及下降的时间常数分别是0.43ms以上。
8.根据权利要求3或7所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述直流电压上升的时间相对于所述直流电压下降的时间之比,是通过从1减去值D所得的值除所述值D而得的值,
所述值D是通过所述试样上的电介质内的电子的移动性与所述电介质内的离子的移动性之和除所述离子的移动性而得的值。
9.根据权利要求8所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述波形的频率是,当以Hz为单位时,将从1减去所述值D所得的值或者所述值D的某个小的值设为1000倍而得的值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造