[发明专利]多相电流测量装置和用于多相电流测量的方法有效
申请号: | 201980005244.X | 申请日: | 2019-01-08 |
公开(公告)号: | CN111542758B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 马蒂亚斯·布鲁施思;克劳迪娅·格兰斯柯 | 申请(专利权)人: | 森斯泰克有限责任公司 |
主分类号: | G01R15/20 | 分类号: | G01R15/20;G01R15/14 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 张莉;王刚 |
地址: | 德国韦*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多相 电流 测量 装置 用于 方法 | ||
1.一种多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),用于测量具有沿N个电流导体(12)承载的N个电流相的多导体电流系统的电流,包括:用于确定测量平面中相邻的电流导体(12)的导体电流之间的磁场强度差的N-1个磁阻梯度传感器(14),其中,N2,其特征在于,相对于每个磁阻梯度传感器(14)布置有另外的非直接相邻的电流导体(12)中的至少一个电流导体(12)的绕过部分(32)的至少一个旁路导体(16),其中所述至少一个旁路导体(16)设计用于补偿两个相邻的电流导体(12)的导体电流的DC场分量。
2.根据权利要求1所述的多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),其特征在于,所述至少一个旁路导体(16)或旁路导体(16)的组(28)关于所述磁阻梯度传感器(14)的所述测量平面对称地布置,使得由所述至少一个旁路导体(16)或旁路导体(16)的组(28)产生的旁路磁场不引起所述磁阻梯度传感器(14)的梯度测量信号。
3.根据权利要求1或2所述的多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),其特征在于,能够通过电流导体(12)的旁路导体(16)的电流分量能够被调节。
4.根据权利要求3所述的多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),其特征在于,能够通过旁路导体(16)的所述电流分量通过所述电流导体(12)的被旁路导体(16)绕过的部分(32)的电流导体截面减小区域(24)、以及绝缘区域和/或电阻区域(26)而能够被调节。
5.根据权利要求1所述的多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),其特征在于,所有所述磁阻梯度传感器(14)沿着与所述电流导体(12)的纵向长度正交的轴线布置。
6.根据权利要求1所述的多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),其特征在于,所述磁阻梯度传感器(14)相对于所述电流导体(12)的纵向长度偏移布置。
7.根据权利要求1所述的多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),其特征在于,所述磁阻梯度传感器(14)布置在绝缘体层(22)上方并且所述电流导体(12)和所述旁路导体(16)在所述绝缘体层(22)下方。
8.根据权利要求7所述的多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),其特征在于,其中,所述旁路导体(16)的至少一个馈送导体(18)在所述绝缘体层(22)的上方被引导。
9.根据权利要求1所述的多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),其特征在于,所述旁路导体(16)包括至少一个馈送导体(18),所述馈送导体(18)在所述电流导体(12)和所述磁阻梯度传感器(14)的所述测量平面下方和/或上方的不同导电平面中延伸,并且在于,所述旁路导体(16)在所述电流导体(12)的平面中并且平行于所述电流导体(12)延伸。
10.根据权利要求1所述的多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),其特征在于,多个旁路导体(16)相对于所述测量平面水平或竖直地彼此相邻地布置,或者彼此同心地布置在所述磁阻梯度传感器(14)的所述测量平面中。
11.根据权利要求1所述的多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),其特征在于,所述磁阻梯度传感器(14)包括场补偿设备。
12.根据权利要求11所述的多相电流测量装置(10、20、30、40、50、60),其特征在于,所述场补偿设备是能够调节的。
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