[发明专利]自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器

权利要求书

1.一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其中，

具备：

第一铁磁性层、

第二铁磁性层、

位于所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层之间的非磁性层、和

直接层叠有所述第一铁磁性层的自旋轨道转矩配线，

所述自旋轨道转矩配线沿与第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一方向是所述第一铁磁性层的法线方向，

所述第一铁磁性层从所述自旋轨道转矩配线侧起依次具有第一层叠结构体和界面磁性层，

所述第一层叠结构体是从所述自旋轨道转矩配线侧起依次配置有铁磁性导电体层和含氧化物层的结构体，

所述铁磁性导电体层含有铁磁性金属元素，

所述含氧化物层含有铁磁性金属元素的氧化物，

所述含氧化物层中包含的所述氧化物的所述铁磁性金属元素与所述铁磁性导电体层中包含的所述铁磁性金属元素相同。

2.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其中，

在所述第一层叠结构体和所述界面磁性层之间插入有一个以上的从所述自旋轨道转矩配线侧起依次层叠有铁磁性导电体层和含氧化物层的第二层叠结构体。

3.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其中，

所述第一层叠结构体的所述铁磁性导电体层的膜厚比所述第二层叠结构体的所述铁磁性导电体层的膜厚厚。

4.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其中，

所述含氧化物层中包含的所述氧化物相对于化学计量组成，氧缺损。

5.一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其中，

具备：

第一铁磁性层、

第二铁磁性层、

位于所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层之间的非磁性层、和

直接层叠有所述第一铁磁性层的自旋轨道转矩配线，

所述自旋轨道转矩配线沿与第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一方向是所述第一铁磁性层的法线方向，

所述第一铁磁性层从所述自旋轨道转矩配线侧起依次具有第一层叠结构体和界面磁性层，

所述第一层叠结构体是从所述自旋轨道转矩配线侧起依次配置有铁磁性导电体层和含氧化物层的结构体，

所述铁磁性导电体层含有铁磁性金属元素，

所述含氧化物层含有铁磁性金属元素的氧化物，

在所述第一层叠结构体和所述界面磁性层之间插入有一个以上的从所述自旋轨道转矩配线侧起依次层叠有铁磁性导电体层和含氧化物层的第二层叠结构体。

6.根据权利要求5所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其中，

所述第一层叠结构体的所述铁磁性导电体层的膜厚比所述第二层叠结构体的所述铁磁性导电体层的膜厚厚。

7.根据权利要求5所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其中，

所述含氧化物层中包含的所述氧化物相对于化学计量组成，氧缺损。

8.一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其中，

具备：

第一铁磁性层、

第二铁磁性层、

位于所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层之间的非磁性层、和

直接层叠有所述第一铁磁性层的自旋轨道转矩配线，

所述自旋轨道转矩配线沿与第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一方向是所述第一铁磁性层的法线方向，

所述第一铁磁性层从所述自旋轨道转矩配线侧起依次具有第一层叠结构体和界面磁性层，

所述第一层叠结构体是从所述自旋轨道转矩配线侧起依次配置有铁磁性导电体层和含氧化物层的结构体，

所述铁磁性导电体层含有铁磁性金属元素，

所述含氧化物层含有铁磁性金属元素的氧化物，

所述含氧化物层中包含的所述氧化物相对于化学计量组成，氧缺损。

9.根据权利要求1、5、8中任一项所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其中，

所述含氧化物层的膜厚为1.0nm以下。