[发明专利]光组件有效

专利信息
申请号: 201980005444.5 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN111295608B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 托尔斯滕·克特勒;莫里茨·格伦;克里斯托夫·泰斯;斯特凡·梅斯特 申请(专利权)人: 斯科雅有限公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;G02B6/124;H01L25/16;H01L33/60;H01S5/062
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 组件
【权利要求书】:

1.一种光组件,包括:

被配置为产生光辐射束的光发射器,

保持所述光发射器的盖单元,

包括耦合器的光子芯片,以及

被布置在所述盖单元和所述光子芯片之间的中间芯片,

其中,所述盖单元包括具有底部部分和侧壁的凹部,

其中,所述光发射器被安装在所述凹部的所述底部部分上,

其中,所述侧壁的一部分形成相对于所述底部部分成角度的镜部分,并且被配置为将所述光辐射束朝向所述耦合器反射,

其中,所述中间芯片包括在面对所述盖单元的所述中间芯片的表面的透镜部分处形成的透镜,所述透镜被配置为将所反射的光束朝向所述耦合器聚焦,

其中,所述光发射器的第一电接触被连接至所述盖单元的导电层,所述盖单元的所述导电层从所述凹部的所述底部部分延伸至所述盖单元的第一键合部分,所述盖单元的所述第一键合部分位于所述凹部之外并且被键合至所述中间芯片的第一键合部分,以及

其中,所述光发射器的第二电接触被直接键合在所述中间芯片的第二键合部分上。

2.根据权利要求1所述的光组件,

其中,所述透镜包括第一轴和垂直于所述第一轴的第二轴,以及

其中,所述透镜的沿着所述第一轴的曲率半径不同于沿着所述第二轴的曲率半径。

3.根据权利要求2所述的光组件,其中,

所述光发射器的发射方向对应于所述第一轴的方向,并且

沿着所述第一轴的曲率半径比沿着所述第二轴的半径大2%和15%之间。

4.根据权利要求1所述的光组件,还包括:

被布置在所述中间芯片和所述光子芯片之间的中介层芯片,

其中,所述中介层芯片具有面对所述中间芯片的前表面和面对所述光子芯片的后侧表面,以及

其中,所述后侧表面包括孔,所述孔位于所述透镜和所述耦合器之间的光束路径中。

5.根据权利要求4所述的光组件,

其中,所述孔是从所述中介层芯片的所述前表面延伸至所述后侧表面的通孔。

6.根据权利要求4所述的光组件,其中,

旋转器被布置在所述孔内。

7.根据权利要求4所述的光组件,其中,

旋转器和相对于所述光辐射的波长的λ/2波片被布置在所述孔内。

8.根据权利要求4所述的光组件,其中,

偏振器、旋转器和相对于所述光辐射的波长的λ/2波片被布置在所述孔内。

9.根据权利要求4所述的光组件,

其中,所述中介层芯片和所述中间芯片通过掩埋的氧化物层被键合在一起,并且

其中,所述孔从所述中介层芯片的所述后侧表面延伸穿过所述中介层芯片并且穿过所述掩埋的氧化物层到达所述中间芯片。

10.根据权利要求9所述的光组件,

其中,所述中介层芯片、所述中间芯片和所述掩埋的氧化物层由SOI芯片形成。

11.根据权利要求1所述的光组件,

其中,所述盖单元包括具有硅顶层、掩埋的氧化物层和底部层的SOI芯片,

其中,所述凹部从所述硅顶层的外表面延伸至所述掩埋的氧化物层或穿过所述掩埋的氧化物层到达所述底部层,以及

其中,所述凹部的所述底部由所述掩埋的氧化物层的一部分或所述底部层的一部分形成。

12.根据权利要求1所述的光组件,

其中,所述盖单元包括半导体衬底,所述半导体衬底具有在其中形成有所述凹部的前侧,并且

其中,形成有所述透镜的所述中间芯片的所述表面包括至少一个键合部分,所述盖单元的所述前侧被键合在所述至少一个键合部分上。

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