[发明专利]半导体光元件、半导体光元件形成用构造体以及使用其的半导体光元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体光元件，

具备：第一导电型半导体基板；以及

设置于所述第一导电型半导体基板上的层叠体，

在所述层叠体中，从所述第一导电型半导体基板侧起依次层叠有第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层、以及第二导电型接触层，

其中，

所述第二导电型半导体层具有：

碳掺杂第二导电型半导体层，将碳作为掺杂剂掺杂于化合物半导体；以及

ⅡA族元素掺杂第二导电型半导体层，将锌作为掺杂剂掺杂于化合物半导体，

所述碳掺杂第二导电型半导体层配置于比所述ⅡA族元素掺杂第二导电型半导体层靠近所述活性层的位置，

所述ⅡA族元素掺杂第二导电型半导体层具有掺杂剂的浓度为5×10¹⁸～1.5×10¹⁹cm^-3的层、和掺杂剂的浓度为5×10¹⁷cm^-3以下的层，

所述掺杂剂的浓度为5×10¹⁷cm^-3以下的层配置于比所述掺杂剂的浓度为5×10¹⁸～1.5×10¹⁹cm^-3的层靠近活性层的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体光元件，其中，

所述第二导电型接触层由将碳作为掺杂剂掺杂于化合物半导体中的碳掺杂第二导电型接触层构成。

3.根据权利要求2所述的半导体光元件，其中，

所述第二导电型接触层中的所述掺杂剂的浓度比所述碳掺杂第二导电型半导体层中的所述掺杂剂的浓度高。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体光元件，其中，

所述ⅡA族元素掺杂第二导电型半导体层的厚度在所述第二导电型半导体层的厚度中所占据的比例大于50％且小于100％。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体光元件，其中，

所述ⅡA族元素掺杂第二导电型半导体层中的所述掺杂剂的最大浓度比所述碳掺杂第二导电型半导体层中的所述掺杂剂的最大浓度大。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体光元件，其中，

所述ⅡA族元素掺杂第二导电型半导体层包括所述掺杂剂的浓度随着离开所述活性层而增加的梯度层。

7.一种半导体光元件形成用构造体，

具备：

第一导电型半导体晶片；以及

设置于所述第一导电型半导体晶片上的层叠体，

在所述层叠体中，从所述第一导电型半导体晶片侧起依次层叠有第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层、以及第二导电型接触层，

其中，

所述第二导电型半导体层具有：

碳掺杂第二导电型半导体层，将碳作为掺杂剂掺杂于化合物半导体；以及

ⅡA族元素掺杂第二导电型半导体层，将锌作为掺杂剂掺杂于化合物半导体，

所述碳掺杂第二导电型半导体层配置于比所述ⅡA族元素掺杂第二导电型半导体层靠近所述活性层的位置，

所述ⅡA族元素掺杂第二导电型半导体层具有掺杂剂的浓度为5×10¹⁸～1.5×10¹⁹cm^-3的层、和掺杂剂的浓度为5×10¹⁷cm^-3以下的层，

所述掺杂剂的浓度为5×10¹⁷cm^-3以下的层配置于比所述掺杂剂的浓度为5×10¹⁸～1.5×10¹⁹cm^-3的层靠近活性层的位置。

8.根据权利要求7所述的半导体光元件形成用构造体，其中，

所述第二导电型接触层由将碳作为掺杂剂掺杂于化合物半导体中的碳掺杂第二导电型接触层构成。