[发明专利]热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器

说明书

本发明提供一种使用金属制基材可以获得良好的热敏电阻膜且具有高的耐湿性和耐热性等的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。本发明所涉及的热敏电阻具备金属制基材(2)、形成于金属制基材上的绝缘性基底膜(3)、形成于绝缘性基底膜上的热敏电阻膜(4)，绝缘性基底膜通过填充金属制基材的表面的凹凸而形成，绝缘性基底膜的表面粗糙度小于金属制基材的表面粗糙度。制造该热敏电阻的方法具有如下工序：在金属制基材上涂布聚硅氮烷；使聚硅氮烷干燥并形成含有N的SiO_x的绝缘性基底膜；及将热敏电阻膜成膜于绝缘性基底膜。

技术领域

本发明涉及一种可以获得高的耐湿性及耐热性等的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。

背景技术

对于在温度传感器等中使用的热敏电阻材料要求高的B常数，以实现高精度和高灵敏度。近年来，作为这种热敏电阻材料，正在开发一种非烧制且不需要热处理，并可得到高B常数的金属氮化物材料。

例如，作为非烧制且能够直接成膜于绝缘性基材上的热敏电阻用金属氮化物材料，本申请发明人等正在开发一种热敏电阻用金属氮化物材料，其由以通式：Ti_xAl_yN_z(0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1)来表示的金属氮化物构成，其晶体结构为六方晶系纤锌矿型单相(专利文献1)。此外，正在开发一种材料，其能够通过非烧制形成并且是Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Si、Cu及Al中的至少一种氮化物材料，具有上述晶体结构，并可以得到高B常数(专利文献2～7)。

专利文献1：日本专利公开2013-179161号公报

专利文献2：日本专利公开2014-123646号公报

专利文献3：日本专利公开2014-236204号公报

专利文献4：日本专利公开2015-65408号公报

专利文献5：日本专利公开2015-65417号公报

专利文献6：日本专利公开2015-73077号公报

专利文献7：日本专利公开2015-73075号公报

在上述现有技术中，仍然存在以下课题。

即，上述各专利文献中所记载的热敏电阻用金属氮化物材料，作为可以获得柔性的基板而形成于聚酰亚胺薄膜上，但是聚酰亚胺薄膜的耐湿性、耐热性及耐化学性受到限制，期待提高这些特性。并且，可以考虑作为这些特性优异的基材而使用不锈钢等金属制基材，但是若将热敏电阻用金属氮化物材料直接成膜于具有导电性的金属制基材上，则无法确保绝缘性，并且与聚酰亚胺薄膜相比，金属制基材的表面粗糙度非常大，不易形成良好的膜。

发明内容

本发明是鉴于前述课题而完成的，其目的在于提供一种使用金属制基材可以得到良好的热敏电阻膜并具有高的耐湿性和耐热性等的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。

本发明为了解决所述课题而采用了以下结构。即，第一发明所涉及的热敏电阻的特征在于，具备金属制基材、形成于所述金属制基材上的绝缘性基底膜、形成于所述绝缘性基底膜上的热敏电阻膜，所述绝缘性基底膜通过填充所述金属制基材的表面的凹凸而形成，所述绝缘性基底膜的表面粗糙度小于所述金属制基材的表面粗糙度。