[发明专利]半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法在审
申请号: | 201980005916.7 | 申请日: | 2019-03-01 |
公开(公告)号: | CN111406308A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 友利直己;名儿耶友宏;黑田孝博 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;B32B7/027;B32B27/00;C08G73/14;C09J7/25;C09J7/30;C09J201/00;C09J201/02;H01L23/50 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 密封 成形 临时 保护膜 带有 引线 制造 装置 方法 | ||
1.一种半导体密封成形用临时保护膜,
其为具备支撑膜和设置在所述支撑膜的单面或两面上的粘接层的半导体密封成形用临时保护膜,
所述临时保护膜的30℃~200℃下的线膨胀系数在所述临时保护膜的至少1个面内方向上为16ppm/℃以上且20ppm/℃以下。
2.根据权利要求1所述的半导体密封成形用临时保护膜,其中,所述临时保护膜的30℃下的弹性模量为9GPa以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体密封成形用临时保护膜,其中,所述粘接层的230℃下的弹性模量为1MPa以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜,其中,所述粘接层含有具有酰胺基、酯基、酰亚胺基、醚基或磺基的热塑性树脂。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜,其中,所述粘接层含有具有酰胺基、酯基、酰亚胺基或醚基的热塑性树脂。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜,其中,所述支撑膜是选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚砜、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二醇酯中的聚合物的膜。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜,其中,
在所述支撑膜的单面上设置有所述粘接层,
所述粘接层的厚度与所述支撑膜的厚度之比为0.2以下。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜,其中,
在所述支撑膜的单面上设置有所述粘接层,
该临时保护膜进一步具备设置于所述支撑膜的与设置有所述粘接层的面相反一侧的面上的非粘接层。
9.根据权利要求8所述的半导体密封成形用临时保护膜,其中,所述粘接层的厚度与所述非粘接层的厚度之比为1.0~2.0。
10.一种卷轴体,其具备卷芯和卷绕在所述卷芯上的权利要求1~9中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜。
11.一种包装体,其具备权利要求10所述的卷轴体和收容有所述卷轴体的包装袋。
12.一种捆包物,其具备权利要求11所述的包装体和收容有所述包装体的捆包箱。
13.一种带有临时保护膜的引线框,其具备:
具有芯片焊盘及内引线的引线框;和
权利要求1~9中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜,
所述临时保护膜按照其粘接层与所述引线框的单面接触并以下述的朝向粘贴在所述引线框上:所述临时保护膜的30℃~200℃下的线膨胀系数为16ppm/℃以上且20ppm/℃以下的面内方向在所述引线框的外周是长方形状时为沿着其短边的朝向、在所述引线框的外周是正方形状时为沿着其任一边的朝向。
14.一种带有临时保护膜的密封成形体,其具备:
具有芯片焊盘及内引线的引线框;
搭载于所述芯片焊盘的半导体元件;
将所述半导体元件与所述内引线连接的导线;
将所述半导体元件及所述导线密封的密封层;以及
权利要求1~9中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜,
所述临时保护膜的粘接层粘贴在所述引线框的与搭载有所述半导体元件的面相反一侧的面上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成株式会社,未经日立化成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980005916.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造