[发明专利]固态图像拾取装置、其制造方法和电子设备

说明书

本技术涉及能够在增大饱和电荷量的同时抑制暗电流的劣化的固态图像拾取装置(1)、固态图像拾取装置的制造方法和电子设备(300)。所述固态图像拾取装置设有：第一光电转换部，其形成在基板的与光入射面侧相对的前面侧；第二光电转换部，其相对于所述第一光电转换部沿基板深度方向层叠；和像素隔离部(51)，其形成在相对于相邻像素的边界部处，并且贯通所述基板。所述第一光电转换部包括在平行于所述基板的光入射面的平面方向上接合的第一平面方向PN结区域(42,43)和沿着所述像素隔离部的侧壁延伸的第一垂直方向PN结区域(61,62)。所述第二光电转换部包括在平行于所述光入射面的平面方向上接合的第二平面方向PN结区域(45,46)和沿着所述像素隔离部的侧壁延伸的第二垂直方向PN结区域(61,63)。例如，本技术能够适用于固态图像拾取装置。

技术领域

本技术涉及固态图像拾取装置、其制造方法和电子设备，更具体地，涉及能够在增大饱和电荷量的同时抑制暗电流的劣化的固态图像拾取装置、其制造方法和电子设备。

背景技术

已经提出了用于在固态图像拾取元件中增大饱和电荷量(Qs)的各种方案。

例如，专利文献1已经提出了如下结构。在该结构中，贯通半导体基板的沟槽形成在像素之间，在沟槽侧壁中形成有P型杂质区域和N型杂质区域，并且确保宽的PN结区域。以这种方式，增大了饱和电荷量。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开No.2015-162603

发明内容

技术问题

然而，在专利文献1的结构中，沟槽侧壁的N型杂质区域到达光入射面侧上的基板背面的界面。需要关注的是，背面界面的钉扎减弱，并且暗电流劣化。

鉴于上述情况作出了本技术，以能够在增大饱和电荷量的同时抑制暗电流的劣化。

问题的解决方案

根据本技术第一方面的固态图像拾取装置包括：第一光电转换部，其形成在基板的与光入射面侧相对的前面侧；第二光电转换部，其沿基板深度方向层叠在所述第一光电转换部上；和像素隔离部，其形成在相对于相邻像素的边界部处，所述像素隔离部贯通所述基板。在所述固态图像拾取装置中，所述第一光电转换部包括第一平面方向PN结区域，其中P型杂质区域和N型杂质区域在平行于所述基板的光入射面的平面方向上彼此接合；和第一垂直方向PN结区域，其中P型杂质区域和N型杂质区域沿着所述像素隔离部的侧壁在垂直于所述光入射面的平面方向上彼此接合。所述第二光电转换部包括第二平面方向PN结区域，其中P型杂质区域和N型杂质区域在平行于所述光入射面的平面方向上彼此接合；和第二垂直方向PN结区域，其中P型杂质区域和N型杂质区域沿着所述像素隔离部的侧壁在垂直于所述光入射面的平面方向上彼此接合。所述第一垂直方向PN结区域的第一导电类型的杂质区域配置成与所述第二平面方向PN结区域的第二导电类型的杂质区域在基板深度方向上相距第一距离，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反。所述第二垂直方向PN结区域的所述第一导电类型的杂质区域配置成与所述基板的背面侧界面的所述第二导电类型的杂质区域在基板深度方向上相距第二距离。