[发明专利]使用阈值可调整竖直晶体管的内容可寻址存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种内容可寻址存储器元件，其包括：

竖直晶体管，其包括栅极氧化物，所述栅极氧化物包括铁电材料。

2.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器元件，其中所述栅极氧化物包括氧化铪。

3.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器元件，其中所述栅极氧化物包括掺杂有硅、铝、锆、钇、钆、钙、铈、镝、铒、锗、钪和锡中的一种或多种的氧化铪。

4.根据前述权利要求中任一项所述的内容可寻址存储器元件，其包括第一栅电极和第二栅电极。

5.根据权利要求4所述的内容可寻址存储器元件，其中所述第一栅电极和第二栅电极安置于所述竖直晶体管的相对侧上。

6.根据前述权利要求中任一项所述的内容可寻址存储器元件，其中所述内容可寻址存储器元件包括所述竖直晶体管而无其它电路元件。

7.根据前述权利要求中任一项所述的内容可寻址存储器元件，其包括两个存储器单元。

8.根据前述权利要求中任一项所述的内容可寻址存储器元件，其中所述竖直晶体管包括：

第一电极，其耦合到匹配线；和

第二电极，其耦合到接地线。

9.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器元件，其中所述竖直晶体管包括场效应晶体管。

10.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器元件，其中所述竖直晶体管包括具有第一导电性类型的第一区域、在所述第一区域上方的具有第二导电性类型的第二区域，和在所述第二区域上方的具有所述第一导电性类型的第三区域。

11.一种内容可寻址存储器单元阵列，其包括：

多条匹配线，其沿着第一轴线平行安置；

多条接地线，其沿着所述第一轴线平行安置；

多条搜寻线，其基本上垂直于所述第一轴线平行安置；和

根据权利要求1所述的多个内容可寻址存储器元件，每个内容可寻址存储器元件均安置于所述匹配线中对应的一条匹配线与所述接地线中对应的一条接地线之间并各自耦合到所述搜寻线中对应的一条搜寻线。

12.根据权利要求11所述的内容可寻址存储器单元阵列，其中所述接地线中的每一条接地线均安置于所述匹配线上方，且所述竖直铁电晶体管安置于所述匹配线上方。

13.根据权利要求11所述的内容可寻址存储器单元阵列，其中所述匹配线中的每一条匹配线均安置于所述接地线上方，且所述竖直铁电晶体管安置于所述接地线上方。

14.根据权利要求11所述的内容可寻址存储器单元阵列，其中所述竖直铁电晶体管中的每一个均包括第一栅电极和第二栅电极。

15.根据权利要求14所述的内容可寻址存储器单元阵列，其中所述第一栅电极和第二栅电极安置于所述竖直铁电晶体管的相对侧上。