[发明专利]双面研磨方法有效
申请号: | 201980005966.5 | 申请日: | 2019-01-21 |
公开(公告)号: | CN111405963B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 田中佑宜 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B37/08;B24B57/02;H01L21/304 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;刘言 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 研磨 方法 | ||
本发明为一种双面研磨方法,是晶圆的双面研磨方法,其在双面研磨装置中,将晶圆保持于形成在载体上的工件保持孔并利用分别贴附有研磨垫的上平台及下平台夹持该晶圆,并一边将浆料从该上平台所具有的供给孔以压送方式供给至研磨面一边进行双面研磨,其中,以从所述上平台的任意直线的一侧的半径上的供给孔供给的浆料的流量的平均值与从所述任意直线的另一侧的半径上的供给孔供给的浆料的流量的平均值之差的绝对值的、相对于从全部供给孔供给的浆料的流量的平均值xave的比率为25%以内的方式,一边进行控制一边研磨。由此,提供一种晶圆的双面研磨方法,其在浆料供给为压送方式的双面研磨装置中抑制晶圆的全局形状(GBIR)的偏差,并且能够减小压送方式下的GBIR的偏差。
技术领域
本发明涉及一种双面研磨方法,该双面研磨方法通过使用浆料供给为压送方式的双面研磨装置,以对供给孔的浆料供给量分布符合一定的法则的方式进行双面研磨加工,从而抑制晶圆平坦度的偏差。
背景技术
双面研磨之中,浆料的代表性供给方法有以平台上的浆料环暂时接受浆料并随着重力流向研磨面的自然落下方式、以及经由旋转接头施予压力的同时送至研磨面的压送方式。压送方式具有通过控制送液的泵的压力而能够将任意的浆料量供给至研磨面的优点。但是,往往会发现在压送方式之中晶圆平坦度的偏差,特别是全局形状的偏差大的情况(专利文献1、专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-042912号公报
专利文献2:日本特开2007-021680号公报
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明鉴于上述问题而做出,其目的在于提供一种晶圆的双面研磨方法,其在浆料供给为压送方式的双面研磨装置中抑制晶圆的全局形状(GBIR)的偏差,并且能够减小压送方式下的GBIR的偏差。
(二)技术方案
为了实现上述目的,本发明提供一种双面研磨方法,是晶圆的双面研磨方法,其使用双面研磨装置,将晶圆保持于形成在载体上的工件保持孔并利用分别贴附有研磨垫的上平台及下平台夹持该晶圆,并一边将浆料从该上平台所具有的N个供给孔经由旋转接头以压送方式供给至研磨面一边进行双面研磨,其特征在于,从所述上平台的任意的半径旋转了旋转角度α后的半径上具有M1个所述供给孔,在将比所述旋转角度α大180度的旋转角度设定为β时,从所述任意的半径旋转了旋转角度β后的半径上具有M2个所述供给孔,对于从所述任意的半径旋转了旋转角度α后的半径与从所述任意的半径旋转了旋转角度β后的半径所形成的直径上的供给孔,从所述直径的一端起标注从1至M1+M2为止的编号,在所述直径上的供给孔之中,将第i个供给孔距所述上平台的中心的距离设定为ri,将从所述任意的半径旋转了旋转角度α后的半径上的所述第i个供给孔所供给的浆料的流量设定为x(ri,α),在所述直径上的供给孔之中,将第j个供给孔距所述上平台的中心的距离设定为rj,将从所述任意的半径旋转了旋转角度β后的半径上的所述第j个供给孔所供给的浆料的流量设定为x(rj,β),在将从所述上平台所具有的全部N个供给孔供给的浆料的流量的平均值设定为xave时,以从所述任意半径旋转了旋转角度α后的半径上的供给孔所供给的浆料的流量的平均值与从所述任意半径旋转了旋转角度β后的半径上的供给孔所供给的浆料的流量的平均值之差的绝对值的、相对于从全部供给孔供给的浆料的流量的平均值xave的比率Diff满足下列式(1)的关系的方式,一边进行控制一边研磨。
【数学式1】
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