[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201980006159.5 申请日: 2019-05-08
公开(公告)号: CN111448656B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 山田教文 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60;H01L21/82;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其中,

该半导体装置包括:

半导体芯片,其包含具有上表面的半导体基板、配置于所述半导体基板的上表面的上表面电极、选择性地覆盖所述上表面电极的上表面的端部的绝缘膜以及覆盖所述上表面电极的上表面的在所述绝缘膜的开口部暴露的部分的镀层;

金属布线板,其包含位于所述绝缘膜的上方和所述镀层的上方的接合部,并自所述接合部的下表面朝向所述上方设有槽部;以及

软钎料部,其填满所述槽部,将所述接合部的下表面与所述镀层接合,在俯视时,所述绝缘膜与所述镀层之间的边界线配置于所述槽部的内侧,所述软钎料部在所述边界线上的厚度厚于在所述镀层上的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述金属布线板以所述槽部的缘部与所述绝缘膜之间的距离为0.5mm以上的方式配置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

该半导体装置还包括布线层,该布线层与所述上表面电极分开地配置于所述半导体芯片的上表面,

所述绝缘膜覆盖所述布线层,

所述槽部被设为在俯视时将所述布线层的位置包含在内。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,

所述布线层为控制电极的布线层,该控制电极对构成所述半导体芯片的半导体元件的主电流进行控制。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

该半导体装置还包括:

绝缘基板,其用于搭载所述半导体芯片;以及

密封树脂,其至少密封所述半导体芯片、所述金属布线板、所述软钎料部以及所述绝缘基板。

6.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,

该半导体装置还包括:

绝缘基板,其用于搭载所述半导体芯片;以及

密封树脂,其至少密封所述半导体芯片、所述金属布线板、所述软钎料部以及所述绝缘基板。

7.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,

该半导体装置还包括:

绝缘基板,其用于搭载所述半导体芯片;以及

密封树脂,其至少密封所述半导体芯片、所述金属布线板、所述软钎料部以及所述绝缘基板。

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