[发明专利]热电材料及其制备方法

权利要求书

1.一种热电复合材料，所述热电复合材料包含

i.15至75重量％的式I的半导体聚合物；

ii.25至85重量％的碳纳米管结构，

其中：

R₁＝–C₇H₁₅；

R₂是相同的并且选自或–OR

R＝–C₈H₁₇；

当R₂为时，X＝H或F；

当R₂为–OR时，X＝H。

2.根据权利要求1所述的热电复合材料，其中所述热电复合材料包含15至75重量％的式I的半导体聚合物、25至85重量％的碳纳米管结构以及任选地0.005至0.3摩尔浓度的掺杂剂。

3.根据权利要求1和2所述的热电复合材料，其中式I选自：

4.根据权利要求1所述的热电复合材料，其中所述碳纳米管选自单壁、双壁和/或多壁碳纳米管。

5.根据权利要求2所述的热电复合材料，其中所使用的掺杂剂选自鎓盐化合物、氧化剂、酸性化合物和电子受体化合物。

6.根据权利要求2所述的热电复合材料，其中所述掺杂剂为使用其盐化合物的过渡金属。

7.根据权利要求1和2所述的热电复合材料，其中所述复合材料在高至350℃下是稳定的并且能够响应于温度梯度产生电势差。

8.一种制备根据权利要求1所述的热电复合材料的方法，所述方法包括步骤：

i.在溶剂的存在下将25至85重量％的碳纳米管掺入15至75重量％的式I的基于稠合噻吩的半导体聚合物中，然后施加超声波45至65分钟，以获得热电复合材料。

9.一种热电转换装置，所述装置包含串联连接的单个或多个由根据权利要求1和2所述的热电复合材料制成的平面支脚，所述平面支脚铸造在基板上或制成为独立式支脚并由用于与周围环境隔离的第二基板支撑。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置的电导率在400S/m至2000S/m的范围内。